THT技術(shù)優(yōu)勢(shì)和高機(jī)械穩(wěn)定性與全自動(dòng)組裝選項(xiàng)和高效回流焊工藝結(jié)合
發(fā)布時(shí)間:2021/8/9 20:31:13 訪問(wèn)次數(shù):1097
高振動(dòng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)了 REDCUBE THR 系列(THR = 通孔回流焊 (Through hole Reflow),又稱為引腳浸錫 (PiP))。它將THT技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和高機(jī)械穩(wěn)定性與全自動(dòng)組裝選項(xiàng)和高效回流焊工藝結(jié)合在一起。
REDCUBE THR 端子的工藝無(wú)縫集成到了 SMT 工藝中。它們可以采用與 SMD 元器件一樣的方式進(jìn)行加工,適用于相同的工藝和條件。
REDCUBE THR 端子極其牢固,幾近堅(jiān)不可摧,可提供 4 個(gè)、8 個(gè) 或 9 個(gè)引腳,能夠在高達(dá) 85 A 的電流下使用。由于結(jié)構(gòu)堅(jiān)固,在組裝時(shí)它們可以達(dá)到遠(yuǎn)高于常規(guī)沖壓元器件的擰緊扭矩。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-26-6 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:4.6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:65 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:12.6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.1 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.3 mm 長(zhǎng)度:3.1 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel 類型:MOSFET 寬度:1.8 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 下降時(shí)間:6.4 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:6.4 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:16 ns 典型接通延遲時(shí)間:2.9 ns 單位重量:15 mg
堅(jiān)固型設(shè)計(jì)可支持-40°C至+85°C的工作溫度范圍,防高度沖擊且耐振,可滿足嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用對(duì)可靠性的要求.
為Debian、Yocto和安卓提供標(biāo)準(zhǔn)BSP支持,包括MRAA硬件抽象層(HAL),工程師可將在Raspberry Pi或Arduino環(huán)境中編寫(xiě)的模塊、傳感器HAT和端口代碼轉(zhuǎn)化為I-Pi.
eIQ機(jī)器學(xué)習(xí)軟件可基于CPU內(nèi)核、GPU內(nèi)核和NPU進(jìn)行連續(xù)推理。支持Caffe、TensorFlow Lite、PyTorch和ONNX模型。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
高振動(dòng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)了 REDCUBE THR 系列(THR = 通孔回流焊 (Through hole Reflow),又稱為引腳浸錫 (PiP))。它將THT技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和高機(jī)械穩(wěn)定性與全自動(dòng)組裝選項(xiàng)和高效回流焊工藝結(jié)合在一起。
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REDCUBE THR 端子極其牢固,幾近堅(jiān)不可摧,可提供 4 個(gè)、8 個(gè) 或 9 個(gè)引腳,能夠在高達(dá) 85 A 的電流下使用。由于結(jié)構(gòu)堅(jiān)固,在組裝時(shí)它們可以達(dá)到遠(yuǎn)高于常規(guī)沖壓元器件的擰緊扭矩。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-26-6 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:4.6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:65 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:12.6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.1 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.3 mm 長(zhǎng)度:3.1 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel 類型:MOSFET 寬度:1.8 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 下降時(shí)間:6.4 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:6.4 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:16 ns 典型接通延遲時(shí)間:2.9 ns 單位重量:15 mg
堅(jiān)固型設(shè)計(jì)可支持-40°C至+85°C的工作溫度范圍,防高度沖擊且耐振,可滿足嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用對(duì)可靠性的要求.
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