功率MOSFET和先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)IC靜態(tài)電流和最小方案尺寸優(yōu)勢(shì)
發(fā)布時(shí)間:2021/8/9 22:27:33 訪問次數(shù):333
MAX17227A 2A nanoPower boost (升壓)轉(zhuǎn)換器、MAX172911A高壓boost轉(zhuǎn)換器和MAX38911 500mA LDO在所有競(jìng)爭(zhēng)方案中均提供最低靜態(tài)電流，提高系統(tǒng)效率并延長(zhǎng)電池壽命。
下一代IoT系統(tǒng)要求從小尺寸電池獲得較大的電流驅(qū)動(dòng)，以支持機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能等高級(jí)特性。
Maxim基礎(chǔ)模擬產(chǎn)品線中的三款新型高效電源IC具有業(yè)界領(lǐng)先的最低靜態(tài)電流和最小方案尺寸優(yōu)勢(shì)，有助于緩解這種兩難的選擇。
器件能夠產(chǎn)生高達(dá)2A的開關(guān)電流，是最接近的競(jìng)爭(zhēng)方案的兩倍。
制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管 Vz - 齊納電壓:6.6 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-106-2 Pd-功率耗散:1 W 電壓容差:6 % 電壓溫度系數(shù):11.8 mV/C Zz - 齊納阻抗:10 Ohms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 測(cè)試電流:40 mA 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.9 mm 長(zhǎng)度:4.5 mm 端接類型:SMD/SMT 寬度:2.6 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor Ir - 反向電流 :10 uA 產(chǎn)品類型:Zener Diodes 工廠包裝數(shù)量1500 子類別:Diodes & Rectifiers 零件號(hào)別名:PTZ15B 單位重量:120 mg
功率模塊含有功率MOSFET和先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)IC。為提高能效，器件內(nèi)部MOSFET采用先進(jìn)的TrenchFET® Gen IV技術(shù)，這一技術(shù)確立行業(yè)性能基準(zhǔn)，顯著降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。
SiC8xx智能功率模塊各種應(yīng)用條件下峰值能效可達(dá)93 %以上。輕載時(shí)可啟用二極管仿真模式，提高全負(fù)載范圍的效率。
采用電感器DCR監(jiān)控功耗的解決方案，電流報(bào)告精度為7 %，而SiC8xx系列器件采用低邊MOSFET進(jìn)行檢測(cè)，精度誤差小于3 %。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝） MAX17227A 2A nanoPower boost (升壓)轉(zhuǎn)換器、MAX172911A高壓boost轉(zhuǎn)換器和MAX38911 500mA LDO在所有競(jìng)爭(zhēng)方案中均提供最低靜態(tài)電流，提高系統(tǒng)效率并延長(zhǎng)電池壽命。
下一代IoT系統(tǒng)要求從小尺寸電池獲得較大的電流驅(qū)動(dòng)，以支持機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能等高級(jí)特性。
Maxim基礎(chǔ)模擬產(chǎn)品線中的三款新型高效電源IC具有業(yè)界領(lǐng)先的最低靜態(tài)電流和最小方案尺寸優(yōu)勢(shì)，有助于緩解這種兩難的選擇。
器件能夠產(chǎn)生高達(dá)2A的開關(guān)電流，是最接近的競(jìng)爭(zhēng)方案的兩倍。
制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管 Vz - 齊納電壓:6.6 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-106-2 Pd-功率耗散:1 W 電壓容差:6 % 電壓溫度系數(shù):11.8 mV/C Zz - 齊納阻抗:10 Ohms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 測(cè)試電流:40 mA 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.9 mm 長(zhǎng)度:4.5 mm 端接類型:SMD/SMT 寬度:2.6 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor Ir - 反向電流 :10 uA 產(chǎn)品類型:Zener Diodes 工廠包裝數(shù)量1500 子類別:Diodes & Rectifiers 零件號(hào)別名:PTZ15B 單位重量:120 mg
功率模塊含有功率MOSFET和先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)IC。為提高能效，器件內(nèi)部MOSFET采用先進(jìn)的TrenchFET® Gen IV技術(shù)，這一技術(shù)確立行業(yè)性能基準(zhǔn)，顯著降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。
SiC8xx智能功率模塊各種應(yīng)用條件下峰值能效可達(dá)93 %以上。輕載時(shí)可啟用二極管仿真模式，提高全負(fù)載范圍的效率。
采用電感器DCR監(jiān)控功耗的解決方案，電流報(bào)告精度為7 %，而SiC8xx系列器件采用低邊MOSFET進(jìn)行檢測(cè)，精度誤差小于3 %。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝） 
相關(guān)技術(shù)資料- 7-18STGWA30IH160DF2 IGBT應(yīng)用前景簡(jiǎn)述
- 7-18最新一代低功耗內(nèi)存LPDDR6標(biāo)JESD209-6
- 7-18EMI CISPR25 CLASS 5標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用探究
- 7-18Android 和Linux OS優(yōu)勢(shì)特征
- 7-18汽車混合信號(hào)微控制器MSPM0G351X-Q1
- 7-184A，6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅(qū)動(dòng)器
- 7-17第二代儲(chǔ)能電芯加速替代280Ah電芯應(yīng)用詳情
- 7-17業(yè)界首款超以太網(wǎng)和 UALink IP 解決方案
- 7-17NVLink 和 NVSwitch 關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)探究
- 7-17“Scale Up + Scale Out” 混合架構(gòu)應(yīng)用詳解
- 7-17高速速度比（2.5MHz）RRIO操作放大器簡(jiǎn)述
- 7-174-20MA信號(hào)調(diào)節(jié)器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
熱門點(diǎn)擊
- ADN4624產(chǎn)品提供10Gbps總帶寬增強(qiáng)
- 24bit Σ-△ADC熱電偶測(cè)量系統(tǒng)及RS
- 5G通信技術(shù)能將移動(dòng)設(shè)備的傳輸速率提升至數(shù)個(gè)
- Raspberry Pi RP2040微控制
- 數(shù)字信號(hào)處理(DSP)功能且DMIPS>10
- 模擬和數(shù)字接口小尺寸和9V至36V寬輸入電壓
- 42V同步降壓預(yù)調(diào)節(jié)器RAA271050一個(gè)
- 65nm浮柵閃存工藝技術(shù)器件耐久性達(dá)到100
- 功率MOSFET和先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)IC靜態(tài)電流和最
- 車載天線測(cè)試以及無線共存測(cè)試改善電阻溫度系數(shù)
推薦技術(shù)資料
- 泰克新發(fā)布的DSA830
- 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺(tái)儀器中同時(shí)實(shí)現(xiàn)時(shí)域和頻域分析，DS... [詳細(xì)]
- STGWA30IH160DF2
- 最新一代低功耗內(nèi)存LPDDR6
- EMI CISPR25 CLA
- Android 和Linux
- 汽車混合信號(hào)微控制器̴
- 4A，6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅(qū)動(dòng)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
