SiC8xx功率模塊輸入電壓為4.5 V至21 V（如表中所示），開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)2 MHz。故障保護(hù)功能包括高邊MOSFET短路和過(guò)流報(bào)警、過(guò)熱保護(hù)和欠壓鎖定（UVLO）。

SiC8xx系列支持3.3 V和5 V 三態(tài)PWM邏輯電平，兼容各種PWM控制器。

從而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc.和 Nvidia Corporation等公司大電流處理器和片上系統(tǒng)（SoC）性能，改進(jìn)熱管理。

器件適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、CUP和GPU的多相VRD、存儲(chǔ)器以及DC/DC VR模塊。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:50 V Id-連續(xù)漏極電流:130 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:280 pC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 mW 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類型:1 P-Channel 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:0.05 S 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:18 ns 典型接通延遲時(shí)間:10 ns 單位重量:8 mg

近年來(lái)，DMS行業(yè)發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁。在商用車領(lǐng)域，受國(guó)內(nèi)政策推動(dòng)，DMS配置率正在高速增長(zhǎng).

在個(gè)人乘用車領(lǐng)域，隨著對(duì)疲勞/分心導(dǎo)致的交通事故問(wèn)題日益重視，用戶對(duì)車載產(chǎn)品的功能性，包括ADAS（前車預(yù)警）、DMS（駕駛員疲勞檢測(cè)）、BSD（盲區(qū)檢測(cè)算法）等的搭載需求正不斷提高。

目前市場(chǎng)中不少車載視覺(jué)產(chǎn)品存在錄像性能不佳、AI功能執(zhí)行準(zhǔn)確性低、清晰度差、錄制時(shí)間短等問(wèn)題，難以滿足企業(yè)及個(gè)人車主的需求。

RV1126基于車載應(yīng)用，全面升級(jí)五大技術(shù)優(yōu)勢(shì)，讓RV1126車載視覺(jué)產(chǎn)品展現(xiàn)出更強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

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