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英特爾固態(tài)盤670p是輕薄型筆記本電腦理想的存儲解決方案

發(fā)布時間:2021/8/11 13:27:46 訪問次數(shù):437

新的RDM系列硅光電倍增管 (SiPM)陣列,將激光雷達(dá) (LiDAR) 傳感器能力擴(kuò)展到其廣泛的智能感知方案陣容。ArrayRDM-0112A20-QFN是市場上首款符合車規(guī)的SiPM產(chǎn)品,應(yīng)對汽車行業(yè)及其他領(lǐng)域LiDAR應(yīng)用中不斷增長的需求。

ArrayRDM-0112A20-QFN是單片1×12 SiPM像素陣列,基于安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先市場的RDM工藝,可實(shí)現(xiàn)對近紅外 (NIR)光的高靈敏度.

在905納米(nm)處達(dá)到領(lǐng)先業(yè)界的18.5%的光子探測效率 (PDE)(1)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

資格: AEC-Q101

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

產(chǎn)品類型: MOSFET

子類別: MOSFETs

零件號別名: IPB80N04S3-04 SP000261217

單位重量: 4 g

與上一代固態(tài)盤相比,英特爾固態(tài)盤670p的讀取性能提高了2倍,隨機(jī)讀取性能提高了38%,時延降低多達(dá)50%。通過提供峰值性能、最高2TB的容量和增強(qiáng)的可靠性,英特爾固態(tài)盤670p是輕薄型筆記本電腦理想的存儲解決方案。

英特爾固態(tài)盤670p采用最新的QLC技術(shù),單盤容量最高可達(dá)2TB,能夠?yàn)槿粘S嬎愫椭髁饔螒蛱峁╋@著的價值。

與上一代英特爾®QLC 3D NAND固態(tài)盤相比,670p提供更高性能,包括2倍順序讀取和20%耐久性提升。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

新的RDM系列硅光電倍增管 (SiPM)陣列,將激光雷達(dá) (LiDAR) 傳感器能力擴(kuò)展到其廣泛的智能感知方案陣容。ArrayRDM-0112A20-QFN是市場上首款符合車規(guī)的SiPM產(chǎn)品,應(yīng)對汽車行業(yè)及其他領(lǐng)域LiDAR應(yīng)用中不斷增長的需求。

ArrayRDM-0112A20-QFN是單片1×12 SiPM像素陣列,基于安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先市場的RDM工藝,可實(shí)現(xiàn)對近紅外 (NIR)光的高靈敏度.

在905納米(nm)處達(dá)到領(lǐng)先業(yè)界的18.5%的光子探測效率 (PDE)(1)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

資格: AEC-Q101

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

產(chǎn)品類型: MOSFET

子類別: MOSFETs

零件號別名: IPB80N04S3-04 SP000261217

單位重量: 4 g

與上一代固態(tài)盤相比,英特爾固態(tài)盤670p的讀取性能提高了2倍,隨機(jī)讀取性能提高了38%,時延降低多達(dá)50%。通過提供峰值性能、最高2TB的容量和增強(qiáng)的可靠性,英特爾固態(tài)盤670p是輕薄型筆記本電腦理想的存儲解決方案。

英特爾固態(tài)盤670p采用最新的QLC技術(shù),單盤容量最高可達(dá)2TB,能夠?yàn)槿粘S嬎愫椭髁饔螒蛱峁╋@著的價值。

與上一代英特爾®QLC 3D NAND固態(tài)盤相比,670p提供更高性能,包括2倍順序讀取和20%耐久性提升。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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