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0-50A范圍和過電流檢測功能隔離式集成霍爾效應(yīng)電流傳感器

發(fā)布時間:2021/8/11 18:56:15 訪問次數(shù):505

集成式電流傳感器MLX91220和MLX91221,用于通過模擬接口進(jìn)行AC和DC測量,是具有0-50A范圍和雙OCD(過電流檢測)功能的隔離式集成霍爾效應(yīng)電流傳感器。

這種多合一解決方案理想地結(jié)合了小尺寸、低阻抗、高帶寬和隔離特性。

這些傳感器的集成導(dǎo)體的電阻損耗特別低:SOIC-8為0.9mΩ,SOIC-16則為0.75mΩ。

根據(jù)差分測量原理,不需要對雜散場進(jìn)行屏蔽。通過結(jié)合內(nèi)部和外部監(jiān)控機(jī)制,確保優(yōu)化雙重片上過電流檢測。內(nèi)部OCD閾值的響應(yīng)時間僅為2μs,外部響應(yīng)時間為10μs。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 36 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 100 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS-T

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 10 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 10 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns

典型接通延遲時間: 15 ns

零件號別名: IPB8N4S36XT SP000254822 IPB80N04S306ATMA1

單位重量: 4 g

Microchip的加速碳化硅(SiC)開發(fā)工具包包括快速優(yōu)化Microchip SP6LI 低電感SiC模塊和系統(tǒng)系列性能所需的硬件和軟件元素。

該新工具使設(shè)計人員可以利用AgileSwitch®智能配置工具(ICT)和設(shè)備編程器,通過軟件升級來調(diào)整系統(tǒng)性能,無需焊接。

Microchip的SP6LI 超低電感SiC MOSFET電源模塊在80°C的外殼溫度下具有700V,538A至1200V,394A至754A的相腳拓?fù)洹?/span>


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

集成式電流傳感器MLX91220和MLX91221,用于通過模擬接口進(jìn)行AC和DC測量,是具有0-50A范圍和雙OCD(過電流檢測)功能的隔離式集成霍爾效應(yīng)電流傳感器。

這種多合一解決方案理想地結(jié)合了小尺寸、低阻抗、高帶寬和隔離特性。

這些傳感器的集成導(dǎo)體的電阻損耗特別低:SOIC-8為0.9mΩ,SOIC-16則為0.75mΩ。

根據(jù)差分測量原理,不需要對雜散場進(jìn)行屏蔽。通過結(jié)合內(nèi)部和外部監(jiān)控機(jī)制,確保優(yōu)化雙重片上過電流檢測。內(nèi)部OCD閾值的響應(yīng)時間僅為2μs,外部響應(yīng)時間為10μs。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 36 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 100 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS-T

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 10 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 10 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns

典型接通延遲時間: 15 ns

零件號別名: IPB8N4S36XT SP000254822 IPB80N04S306ATMA1

單位重量: 4 g

Microchip的加速碳化硅(SiC)開發(fā)工具包包括快速優(yōu)化Microchip SP6LI 低電感SiC模塊和系統(tǒng)系列性能所需的硬件和軟件元素。

該新工具使設(shè)計人員可以利用AgileSwitch®智能配置工具(ICT)和設(shè)備編程器,通過軟件升級來調(diào)整系統(tǒng)性能,無需焊接。

Microchip的SP6LI 超低電感SiC MOSFET電源模塊在80°C的外殼溫度下具有700V,538A至1200V,394A至754A的相腳拓?fù)洹?/span>


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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