無磁滯現(xiàn)象特殊的傳感器概念可捕獲集成的初級導(dǎo)體產(chǎn)生的磁場，從而省去鐵磁集中器，可實現(xiàn)更高密度的電力電子設(shè)備。

這兩款傳感器帶有具備獨立輸出的雙重片上過電流檢測，省去外部過電流保護(hù)，從而減少了物料清單(BoM)。SOIC-8的標(biāo)稱隔離電壓為2.4kVRMS，SOIC-16則為4.8kVRMS。

這些傳感器適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用，例如車載充電器(OBC) 、DC / DC轉(zhuǎn)換器、小型電驅(qū)動器以及電源等。它們的300kHz帶寬預(yù)設(shè)用于低于50A eff的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 188 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS-T

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 14 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 17 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 39 ns

典型接通延遲時間: 25 ns

零件號別名: SP000260848 IPB8N4S33XT IPB80N04S303ATMA1

單位重量: 4 g

新的轉(zhuǎn)接頭/耦合器允許高速傳輸，利用L-com諾通獨特的ECF法蘭設(shè)計，USB 3.0線纜可有效穿過面板或接線盒進(jìn)行連接。

借助Microchip的Agileswitch柵極驅(qū)動器和高性能SiC功率模塊，可以讓開發(fā)人員無需再對功率模塊檢驗后再花費時間開發(fā)自己的柵極驅(qū)動器，從而將開發(fā)周期縮短數(shù)月。

Microchip的柵極驅(qū)動器工具包包括SP6LI模塊、柵極驅(qū)動器板、安裝硬件、編程器、電纜和ICT的鏈接，使開發(fā)人員能夠立即開始進(jìn)行雙脈沖測試。

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