隨著工業(yè)和醫(yī)療健康IoT應(yīng)用的增長，對增強(qiáng)電池壽命管理、提高測量精度的需求也不斷增長，以滿足低功耗和設(shè)備工作有效性的要求。

HVC 4222F和HVC 4422F屬于基于Arm® M3 的電機(jī)驅(qū)動器，具有 32k 和 64k 兩種閃存.

這三款器件是我們基礎(chǔ)模擬產(chǎn)品中的佼佼者。Maxim的使命是不斷為工程師提供實際測量和連接模擬世界所需的最佳產(chǎn)品。

這些方案具有優(yōu)異的測量精度和超低功耗，能夠滿足最苛刻的傳感器應(yīng)用需求。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: N

技術(shù): GaN

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-5

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續(xù)漏極電流: 13 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 13 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 170 W

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

配置: Single

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

系列: BTS244

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 25 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 70 ns

工廠包裝數(shù)量: 500

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 40 ns

典型接通延遲時間: 15 ns

零件號別名: SP000012177 BTS244ZNKSA1

單位重量: 2 g

電表評估板采用低成本的抗電分流傳感器和先進(jìn)的電流隔離技術(shù)實現(xiàn)出色的可靠性和魯棒性，加快三相交流電能表設(shè)計，滿足國際上最嚴(yán)格的電能表質(zhì)量和精度標(biāo)準(zhǔn)。

EVALSTPM-3PHISO評估板集成高精度STPMS2計量前端IC和先進(jìn)的STISO621數(shù)字隔離器，以及在STM32微控制器上運(yùn)行的用于計算計量數(shù)據(jù)和電能質(zhì)量數(shù)據(jù)的可定制的統(tǒng)包固件。

經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計的感測電路和PCB布局，確保電能表具有優(yōu)異的抗EMI干擾的魯棒性和出色的信噪比，進(jìn)行高精度測量和后處理計算。

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