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PEEK絕緣鎳鐵(NiFe)合金引線熱梯度低的M.2尺寸解決方案

發(fā)布時(shí)間:2021/8/13 12:01:01 訪問(wèn)次數(shù):345

新款符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)的NTC熱敏電阻---NTCLE350E4,采用PEEK絕緣鎳鐵(NiFe)合金引線,熱梯度低。Vishay BCcomponentsNTCLE350E4熱敏電阻耐高溫達(dá)+185 °C,適合各種汽車應(yīng)用快速、高精度溫度檢測(cè)。

NiFe合金NTCLE350E4傳感器導(dǎo)線導(dǎo)熱性目前在市場(chǎng)上最低。

因此,器件熱梯度小于0.01 K/K(或1 %),幾乎不向周圍環(huán)境散發(fā)熱量,可進(jìn)行高精度溫測(cè),優(yōu)于銅等其他導(dǎo)線材料幾個(gè)度量級(jí)。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-263-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續(xù)漏極電流:80 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.2 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:3 VQg-柵極電荷:103 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:300 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:4.4 mm長(zhǎng)度:10 mm晶體管類型:1 N-Channel寬度:9.25 mm商標(biāo):Infineon Technologies正向跨導(dǎo) - 最小值:-下降時(shí)間:22 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:63 ns1000子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:46 ns典型接通延遲時(shí)間:23 ns零件號(hào)別名:IPB80N04S2-H4 SP001058130單位重量:4 g

Sterling-LWB5+模塊支持WPA3安全新標(biāo)準(zhǔn)。即使在復(fù)雜的射頻環(huán)境中,這些器件集成的功率放大器和低噪聲放大器(LNA) 仍可確?煽窟B接。

該模塊非常適合用于惡劣環(huán)境,其焊入式模塊外形能夠盡可能減輕振動(dòng)和沖擊帶來(lái)的影響,并且其工業(yè)額定溫度范圍達(dá)到了−40°C至85°C。

Sterling-LWB5+系列提供了多種可選裝集成式預(yù)認(rèn)證外部天線的小型PCB模塊,以及數(shù)種能讓設(shè)計(jì)人員的Linux平臺(tái)更加靈活地與主機(jī)集成的M.2尺寸解決方案。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

新款符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)的NTC熱敏電阻---NTCLE350E4,采用PEEK絕緣鎳鐵(NiFe)合金引線,熱梯度低。Vishay BCcomponentsNTCLE350E4熱敏電阻耐高溫達(dá)+185 °C,適合各種汽車應(yīng)用快速、高精度溫度檢測(cè)。

NiFe合金NTCLE350E4傳感器導(dǎo)線導(dǎo)熱性目前在市場(chǎng)上最低。

因此,器件熱梯度小于0.01 K/K(或1 %),幾乎不向周圍環(huán)境散發(fā)熱量,可進(jìn)行高精度溫測(cè),優(yōu)于銅等其他導(dǎo)線材料幾個(gè)度量級(jí)。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-263-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續(xù)漏極電流:80 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.2 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:3 VQg-柵極電荷:103 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:300 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:4.4 mm長(zhǎng)度:10 mm晶體管類型:1 N-Channel寬度:9.25 mm商標(biāo):Infineon Technologies正向跨導(dǎo) - 最小值:-下降時(shí)間:22 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:63 ns1000子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:46 ns典型接通延遲時(shí)間:23 ns零件號(hào)別名:IPB80N04S2-H4 SP001058130單位重量:4 g

Sterling-LWB5+模塊支持WPA3安全新標(biāo)準(zhǔn)。即使在復(fù)雜的射頻環(huán)境中,這些器件集成的功率放大器和低噪聲放大器(LNA) 仍可確保可靠連接。

該模塊非常適合用于惡劣環(huán)境,其焊入式模塊外形能夠盡可能減輕振動(dòng)和沖擊帶來(lái)的影響,并且其工業(yè)額定溫度范圍達(dá)到了−40°C至85°C。

Sterling-LWB5+系列提供了多種可選裝集成式預(yù)認(rèn)證外部天線的小型PCB模塊,以及數(shù)種能讓設(shè)計(jì)人員的Linux平臺(tái)更加靈活地與主機(jī)集成的M.2尺寸解決方案。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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