NTCLE350E4用作變速箱系統(tǒng)和液冷起動發(fā)電機系統(tǒng)油溫傳感器(OTS)
發(fā)布時間:2021/8/13 12:12:10 訪問次數(shù):770
在電力牽引電機中，器件可灌封或模壓到傳感器中，保護大電流連接器。除廢氣再循環(huán)（EGR）應用外，NTCLE350E4還可以用作變速箱系統(tǒng)和液冷起動發(fā)電機系統(tǒng)的油溫傳感器（OTS）。
器件最大功耗100 mW，提高了耐毒性氣體和耐酸性能力。NTCLE350E4現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產，供貨周期為12周。
新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，可在650 V擊穿電壓實現(xiàn)同類最佳的品質因數(shù)Rsp (Rdson * area)。
制造商: Mini-Circuits
產品種類: 射頻放大器
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: MCLP-12
類型: Low Noise Amplifiers
技術: Si
工作頻率: 400 MHz to 8 GHz
P1dB - 壓縮點: 18.1 dBm
增益: 19 dB
工作電源電壓: 6 V
NF—噪聲系數(shù): 2.2 dB
OIP3 - 三階截點: 29 dBm
工作電源電流: 75 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 105 C
系列: PMA3
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標: Mini-Circuits
通道數(shù)量: 1 Channel
輸入返回損失: 7 dB
Pd-功率耗散: 0.95 W
產品類型: RF Amplifier
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
測試頻率: 8 GHz
單位重量: 1.050 g
近場通信（NFC）新型電感器 MLJ-H1005系列,該電感器預期將用于NFC電路LC濾波器。
為了盡量減少與天線阻抗不匹配所造成的損耗，電感器需保持較小的公差范圍，而TDK提供的該系列電感器的公差范圍僅為±5%，可以滿足這一需求。
因此，交流電阻（Rac）必須保持在較低的水平，并在施加電流時也保持不變。
通過超低損耗材料的發(fā)展，相較于現(xiàn)有的MLJ-W系列，新的MLJ-H系列在大電流應用中實現(xiàn)了更低的交流電阻。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
在電力牽引電機中，器件可灌封或模壓到傳感器中，保護大電流連接器。除廢氣再循環(huán)（EGR）應用外，NTCLE350E4還可以用作變速箱系統(tǒng)和液冷起動發(fā)電機系統(tǒng)的油溫傳感器（OTS）。
器件最大功耗100 mW，提高了耐毒性氣體和耐酸性能力。NTCLE350E4現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產，供貨周期為12周。
新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，可在650 V擊穿電壓實現(xiàn)同類最佳的品質因數(shù)Rsp (Rdson * area)。
制造商: Mini-Circuits
產品種類: 射頻放大器
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: MCLP-12
類型: Low Noise Amplifiers
技術: Si
工作頻率: 400 MHz to 8 GHz
P1dB - 壓縮點: 18.1 dBm
增益: 19 dB
工作電源電壓: 6 V
NF—噪聲系數(shù): 2.2 dB
OIP3 - 三階截點: 29 dBm
工作電源電流: 75 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 105 C
系列: PMA3
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標: Mini-Circuits
通道數(shù)量: 1 Channel
輸入返回損失: 7 dB
Pd-功率耗散: 0.95 W
產品類型: RF Amplifier
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
測試頻率: 8 GHz
單位重量: 1.050 g
近場通信（NFC）新型電感器 MLJ-H1005系列,該電感器預期將用于NFC電路LC濾波器。
為了盡量減少與天線阻抗不匹配所造成的損耗，電感器需保持較小的公差范圍，而TDK提供的該系列電感器的公差范圍僅為±5%，可以滿足這一需求。
因此，交流電阻（Rac）必須保持在較低的水平，并在施加電流時也保持不變。
通過超低損耗材料的發(fā)展，相較于現(xiàn)有的MLJ-W系列，新的MLJ-H系列在大電流應用中實現(xiàn)了更低的交流電阻。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 7-18STGWA30IH160DF2 IGBT應用前景簡述
- 7-18最新一代低功耗內存LPDDR6標JESD209-6
- 7-18EMI CISPR25 CLASS 5標準應用探究
- 7-18Android 和Linux OS優(yōu)勢特征
- 7-18汽車混合信號微控制器MSPM0G351X-Q1
- 7-184A，6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅動器
- 7-17第二代儲能電芯加速替代280Ah電芯應用詳情
- 7-17業(yè)界首款超以太網(wǎng)和 UALink IP 解決方案
- 7-17NVLink 和 NVSwitch 關鍵技術參數(shù)探究
- 7-17“Scale Up + Scale Out” 混合架構應用詳解
- 7-17高速速度比（2.5MHz）RRIO操作放大器簡述
- 7-174-20MA信號調節(jié)器技術參數(shù)設計
公網(wǎng)安備44030402000607
