新的車規(guī)AECQ101和工業(yè)級(jí)合格650伏寬禁帶材料
發(fā)布時(shí)間:2021/8/13 12:23:00 訪問次數(shù):533
產(chǎn)品的輸入電壓范圍為85至264VAC,便于在全球范圍內(nèi)廣泛用于ITE和工業(yè)應(yīng)用;這些應(yīng)用包括輔助電源、安全裝置、照明控制、智能家居或辦公室控制系統(tǒng)、票務(wù)和自動(dòng)售貨機(jī)。
LCS35系列有四種模塊可選,額定輸出為5V、12V、15V和24V。
該產(chǎn)品的輸入至輸出絕緣為4000VAC,輸入至接地絕緣為2000VAC,輸出至接地絕緣為1250VAC。
對(duì)地漏電流最大為0.75mA。工作高度可達(dá)5000米,加強(qiáng)了其全球使用的能力。LCS系列有現(xiàn)貨供應(yīng),產(chǎn)品保質(zhì)期為3年。
制造商: Mini-Circuits
產(chǎn)品種類: 射頻放大器
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SMT-8
類型: General Purpose Amplifiers
技術(shù): GaAs InGaP
工作頻率: 5 GHz to 18 GHz
P1dB - 壓縮點(diǎn): 18.7 dBm
增益: 12.4 dB
工作電源電壓: 5 V
NF—噪聲系數(shù): 6 dB
OIP3 - 三階截點(diǎn): 24.4 dBm
工作電源電流: 131 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: AVA
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標(biāo): Mini-Circuits
通道數(shù)量: 1 Channel
輸入返回?fù)p失: 7.5 dB
Pd-功率耗散: 980 mW
產(chǎn)品類型: RF Amplifier
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
測(cè)試頻率: 18 GHz
單位重量: 2.861 g

設(shè)計(jì)人員用新的SiC器件取代現(xiàn)有的硅開關(guān)技術(shù),將在電動(dòng)汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、服務(wù)器電源(PSU)、電信和不間斷電源(UPS)等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)顯著更好的性能。
安森美半導(dǎo)體新的車規(guī)AECQ101和工業(yè)級(jí)合格的650伏(V) SiC MOSFET基于一種新的寬禁帶材料,提供比硅更勝一籌的開關(guān)性能和更好的熱性能,因而提高系統(tǒng)級(jí)能效、功率密度,及減小電磁干擾(EMI)、系統(tǒng)尺寸和重量。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
產(chǎn)品的輸入電壓范圍為85至264VAC,便于在全球范圍內(nèi)廣泛用于ITE和工業(yè)應(yīng)用;這些應(yīng)用包括輔助電源、安全裝置、照明控制、智能家居或辦公室控制系統(tǒng)、票務(wù)和自動(dòng)售貨機(jī)。
LCS35系列有四種模塊可選,額定輸出為5V、12V、15V和24V。
該產(chǎn)品的輸入至輸出絕緣為4000VAC,輸入至接地絕緣為2000VAC,輸出至接地絕緣為1250VAC。
對(duì)地漏電流最大為0.75mA。工作高度可達(dá)5000米,加強(qiáng)了其全球使用的能力。LCS系列有現(xiàn)貨供應(yīng),產(chǎn)品保質(zhì)期為3年。
制造商: Mini-Circuits
產(chǎn)品種類: 射頻放大器
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SMT-8
類型: General Purpose Amplifiers
技術(shù): GaAs InGaP
工作頻率: 5 GHz to 18 GHz
P1dB - 壓縮點(diǎn): 18.7 dBm
增益: 12.4 dB
工作電源電壓: 5 V
NF—噪聲系數(shù): 6 dB
OIP3 - 三階截點(diǎn): 24.4 dBm
工作電源電流: 131 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: AVA
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標(biāo): Mini-Circuits
通道數(shù)量: 1 Channel
輸入返回?fù)p失: 7.5 dB
Pd-功率耗散: 980 mW
產(chǎn)品類型: RF Amplifier
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
測(cè)試頻率: 18 GHz
單位重量: 2.861 g

設(shè)計(jì)人員用新的SiC器件取代現(xiàn)有的硅開關(guān)技術(shù),將在電動(dòng)汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、服務(wù)器電源(PSU)、電信和不間斷電源(UPS)等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)顯著更好的性能。
安森美半導(dǎo)體新的車規(guī)AECQ101和工業(yè)級(jí)合格的650伏(V) SiC MOSFET基于一種新的寬禁帶材料,提供比硅更勝一籌的開關(guān)性能和更好的熱性能,因而提高系統(tǒng)級(jí)能效、功率密度,及減小電磁干擾(EMI)、系統(tǒng)尺寸和重量。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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