這款新的 Exynos 處理器采用了目前可穿戴設(shè)備領(lǐng)域中最小的封裝 —— 扇出型面板級(jí)封裝（FO-LP）。它包括 Exynos W920、電源管理芯片、LPDDR4 內(nèi)存和 eMMC 存儲(chǔ)在同一個(gè)封裝中，以有效利用可穿戴設(shè)備內(nèi)的物理空間。

三星聲稱，其新的可穿戴芯片組在 CPU 測(cè)試中比 Exynos 9110 快 20%，并提供高達(dá)快 10 倍的圖形性能。Exynos W920 的 GPU 可以處理高達(dá) qHD 分辨率（960 x 540 像素）的顯示屏。

制造商: Mini-Circuits

產(chǎn)品種類: 射頻放大器

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: MCLP-8

類型: Low Noise Amplifiers

技術(shù): Si

工作頻率: 500 MHz to 12 GHz

P1dB - 壓縮點(diǎn): 14 dBm

增益: 15.3 dB

工作電源電壓: 6 V

NF—噪聲系數(shù): 3.1 dB

OIP3 - 三階截點(diǎn): 26.3 dBm

工作電源電流: 68 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

系列: PMA2

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

商標(biāo): Mini-Circuits

通道數(shù)量: 1 Channel

輸入返回?fù)p失: 9.8 dB

Pd-功率耗散: 0.7 W

產(chǎn)品類型: RF Amplifier

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: Wireless & RF Integrated Circuits

測(cè)試頻率: 12 GHz

規(guī)范

功率容量：3W

標(biāo)稱中心頻率：5370MHz

帶寬 (BW)：±470MHz

BW I插入損耗：0.55dB（最大值，+25°C時(shí)）

BW II插入損耗：0.65dB（最大值，-40°C至+85°C）

衰減（絕對(duì)值）：14dB（最小值，2400MHz至2500MHz）

VSWR：1.6（最大值）

工作溫度范圍：-40°C至+85°C

占位面積為0.65mm x 0.50mm，最大厚度為0.3mm

(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）