窄體8腳封裝支持600Vpk工作電壓絕緣性能1min耐壓3000Vrms
發(fā)布時間:2021/8/15 10:51:02 訪問次數(shù):1081
模組可抗手術環(huán)境中醫(yī)療設備的磁干擾(EMI/EMC),無需同軸電纜或屏蔽電纜。
除此之外,為支持新產(chǎn)品快速引入市場,在ROHM官網(wǎng)上還免費提供評估和導入新產(chǎn)品所需的豐富設計數(shù)據(jù),其中包括含有驅(qū)動電路設計方法的應用指南、電路仿真和光學仿真用的模型等。
窄體8腳封裝支持600Vpk的工作電壓,絕緣性能為1min耐壓為3000Vrms的,浪涌絕緣耐壓大于6kV。
低導通阻抗性能,其中寬體SOIC16版本提供0.85mOhm導通阻抗,窄體SOIC8腳版本提供1.2mOhm導通阻抗,具有良好的溫升特性。
制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TDSON-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:100 VId-連續(xù)漏極電流:100 ARds On-漏源導通電阻:3.5 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2.3 VQg-柵極電荷:37 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:156 W通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel晶體管類型:1 N-Channel商標:Infineon Technologies正向跨導 - 最小值:60 S下降時間:16 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:10 ns工廠包裝數(shù)量:5000子類別:MOSFETs典型關閉延遲時間:40 ns典型接通延遲時間:9.6 ns
新品 EI-52高性能邊緣智能系統(tǒng)。此款產(chǎn)品設計緊湊,搭載第 11 代Intel Core i5/i3/Celeron處理器,采用即插即用系統(tǒng)設計,為邊緣到云端互連和 5G & AI 解決方案而設計。
它包括硬件和軟件集成包,內(nèi)置Edge X Foundry 物聯(lián)網(wǎng)即插即用開放軟件框架和研華的 WISE-DeviceOn 物聯(lián)網(wǎng)邊緣智能軟件。
EI-52賦能5G和AI應用,支持AIW 5G模塊、Wi-Fi套件、VEGA AI加速模塊和FaceView人臉識別I.App,加快 AIoT 智能應用程序部署、數(shù)據(jù)采集應用程序開發(fā)和遠程設備管理。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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