應(yīng)對差異化安全L2+自動駕駛量產(chǎn)以及相關(guān)的汽車網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)
發(fā)布時間:2021/8/16 13:22:17 訪問次數(shù):546
OmniVision的PureCel Plus-S堆疊架構(gòu)使OX03C10的像素性能比非堆疊技術(shù)更有優(yōu)勢,此外,它還具有更小的裸片和更低的功耗。
例如,3D堆疊技術(shù)使OmniVision提升了像素和暗電流性能,使其2.5MP汽車觀察傳感器的信噪比比上一代產(chǎn)品提高了20%。
這一聯(lián)合解決方案為汽車行業(yè)提供了功耗最低的汽車觀察相機,具有120-dB HDR和60幀/秒的全2.5MP分辨率。用戶定義汽車允許消費者為當今的智能互聯(lián)設(shè)備添加新功能。
制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WDFN-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:2.4 A Rds On-漏源導通電阻:380 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V Qg-柵極電荷:6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:18 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列:NVTFS5124PL 晶體管類型:1 P-Channel 商標:ON Semiconductor 正向跨導 - 最小值:4 S 下降時間:10 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:14 ns 工廠包裝數(shù)量:1500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:13 ns 典型接通延遲時間:7 ns 單位重量:29.570 mg
汽車制造商的重心已從全自動駕駛汽車的挑戰(zhàn)轉(zhuǎn)移到了立即利用計算能力來打造差異化汽車。
恩智浦BlueBox 3.0提供豐富的開發(fā)基礎(chǔ),幫助設(shè)計人員應(yīng)對差異化、安全L2+自動駕駛量產(chǎn)以及相關(guān)的汽車網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)。
在汽車架構(gòu)朝向功能域架構(gòu)演進的過程中,通過用戶定義汽車來滿足更復雜的需求是一個重要的驅(qū)動因素。域架構(gòu)將為汽車高性能計算提供服務(wù)器式的方法。
恩智浦BlueBox 3.0為這些新汽車網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)提供創(chuàng)新的設(shè)計基礎(chǔ),有助于更快實現(xiàn)部署。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
OmniVision的PureCel Plus-S堆疊架構(gòu)使OX03C10的像素性能比非堆疊技術(shù)更有優(yōu)勢,此外,它還具有更小的裸片和更低的功耗。
例如,3D堆疊技術(shù)使OmniVision提升了像素和暗電流性能,使其2.5MP汽車觀察傳感器的信噪比比上一代產(chǎn)品提高了20%。
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制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WDFN-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:2.4 A Rds On-漏源導通電阻:380 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V Qg-柵極電荷:6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:18 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列:NVTFS5124PL 晶體管類型:1 P-Channel 商標:ON Semiconductor 正向跨導 - 最小值:4 S 下降時間:10 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:14 ns 工廠包裝數(shù)量:1500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:13 ns 典型接通延遲時間:7 ns 單位重量:29.570 mg
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(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)