EasyDUAL 1B封裝的導(dǎo)通電阻(R DS(on))為11mΩ的副邊電流
發(fā)布時(shí)間:2021/8/18 19:23:46 訪問次數(shù):711
EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。
該器件采用半橋配置， EasyDUAL 1B封裝的導(dǎo)通電阻（R DS(on)）為11 mΩ，EasyDUAL 2B封裝的導(dǎo)通電阻（R DS(on)）為6 mΩ。
EasyDUAL模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有優(yōu)良的柵極氧化層可靠性最新CoolSiC MOSFET技術(shù)。
由于DCB材料的熱導(dǎo)率更高，結(jié)到散熱器的熱阻（R thJH）最多可以降低40%。
制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFET技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-263-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:100 VId-連續(xù)漏極電流:33 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:44 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:47.3 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:3.8 W通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:4.4 mm長(zhǎng)度:10 mm晶體管類型:1 N-Channel寬度:9.25 mm商標(biāo):Infineon / IR產(chǎn)品類型:MOSFET800子類別:MOSFETs單位重量:4 g
擴(kuò)大的原邊負(fù)電流限制范圍帶來更多的靈活性，使用一個(gè)典型的變壓器線圈匝數(shù)比就可以獲得適合的副邊電流。
變換器的軟啟動(dòng)可以設(shè)置,能夠工作可靠性,還為原邊恒流保護(hù)提供逐脈沖電流檢測(cè)功能。
300ns預(yù)設(shè)電流檢測(cè)消隱時(shí)間可以過濾變壓器漏感產(chǎn)生的振蕩，確保芯片在高邊開關(guān)通斷期間具有更高的穩(wěn)定性。
芯片內(nèi)置過壓保護(hù)和熱關(guān)斷保護(hù)，外部有時(shí)鐘同步和開關(guān)頻率設(shè)置引腳。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。
該器件采用半橋配置， EasyDUAL 1B封裝的導(dǎo)通電阻（R DS(on)）為11 mΩ，EasyDUAL 2B封裝的導(dǎo)通電阻（R DS(on)）為6 mΩ。
EasyDUAL模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有優(yōu)良的柵極氧化層可靠性最新CoolSiC MOSFET技術(shù)。
由于DCB材料的熱導(dǎo)率更高，結(jié)到散熱器的熱阻（R thJH）最多可以降低40%。
制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFET技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-263-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:100 VId-連續(xù)漏極電流:33 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:44 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:47.3 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:3.8 W通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:4.4 mm長(zhǎng)度:10 mm晶體管類型:1 N-Channel寬度:9.25 mm商標(biāo):Infineon / IR產(chǎn)品類型:MOSFET800子類別:MOSFETs單位重量:4 g
擴(kuò)大的原邊負(fù)電流限制范圍帶來更多的靈活性，使用一個(gè)典型的變壓器線圈匝數(shù)比就可以獲得適合的副邊電流。
變換器的軟啟動(dòng)可以設(shè)置,能夠工作可靠性,還為原邊恒流保護(hù)提供逐脈沖電流檢測(cè)功能。
300ns預(yù)設(shè)電流檢測(cè)消隱時(shí)間可以過濾變壓器漏感產(chǎn)生的振蕩，確保芯片在高邊開關(guān)通斷期間具有更高的穩(wěn)定性。
芯片內(nèi)置過壓保護(hù)和熱關(guān)斷保護(hù)，外部有時(shí)鐘同步和開關(guān)頻率設(shè)置引腳。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
相關(guān)技術(shù)資料- 7-18STGWA30IH160DF2 IGBT應(yīng)用前景簡(jiǎn)述
- 7-18最新一代低功耗內(nèi)存LPDDR6標(biāo)JESD209-6
- 7-18EMI CISPR25 CLASS 5標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用探究
- 7-18Android 和Linux OS優(yōu)勢(shì)特征
- 7-18汽車混合信號(hào)微控制器MSPM0G351X-Q1
- 7-184A，6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅(qū)動(dòng)器
- 7-17第二代儲(chǔ)能電芯加速替代280Ah電芯應(yīng)用詳情
- 7-17業(yè)界首款超以太網(wǎng)和 UALink IP 解決方案
- 7-17NVLink 和 NVSwitch 關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)探究
- 7-17“Scale Up + Scale Out” 混合架構(gòu)應(yīng)用詳解
- 7-17高速速度比（2.5MHz）RRIO操作放大器簡(jiǎn)述
- 7-174-20MA信號(hào)調(diào)節(jié)器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
熱門點(diǎn)擊
- 向異性磁阻(AMR)或巨磁阻(GMR)傳感器
- 圖像傳感器的IAS模塊與AP1302 ISP
- 連接性和人機(jī)界面(HMI)功能的通用MCU觸
- 集成電流路徑霍爾電流傳感器NSM201X產(chǎn)品
- 短鍵合引線的銅裸芯片焊盤大于 50%的效率提
- Wi-Fi 6E技術(shù)不僅可以使用現(xiàn)有的2GH
- 32位D/A轉(zhuǎn)換器IC傳感器在1Hz數(shù)據(jù)速率
- 新型SPDT機(jī)電式繼電器開關(guān)在微型表面貼裝型
- Joule 20接觸技術(shù)和高頻能力有效保證信
- 綠色脈動(dòng)LED之間微透鏡和半屏蔽PDAF技術(shù)
推薦技術(shù)資料
- STGWA30IH160DF2
- 最新一代低功耗內(nèi)存LPDDR6
- EMI CISPR25 CLA
- Android 和Linux
- 汽車混合信號(hào)微控制器̴
- 4A，6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅(qū)動(dòng)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
