功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。該創(chuàng)新系列GaN FET外形尺寸小，可實現(xiàn)高功率密度及高效率功率轉(zhuǎn)換，能夠以較低的成本開發(fā)出更高效系統(tǒng)，同時還可助力電動車、5G通信、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用改進電源性能。

GaN FET這一創(chuàng)新系列為設(shè)計工程師提供了真正解決這些問題的有效方案。  

GaN技術(shù)突破了硅基IGBT和SiC等現(xiàn)有技術(shù)的諸多局限，可為各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用帶來直接和間接的性能效益。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 - ADC

RoHS: 詳細信息

系列: ADS7951

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSSOP-30

分辨率: 12 bit

通道數(shù)量: 8 Channel

接口類型: SPI

采樣比: 1 MS/s

輸入類型: Single-Ended

結(jié)構(gòu): SAR

模擬電源電壓: 2.7 V to 5.25 V

數(shù)字電源電壓: 1.7 V to 5.25 V

SNR – 信噪比: 71.7 dB

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

封裝: Reel

高度: 1.15 mm

長度: 7.8 mm

轉(zhuǎn)換器數(shù)量: 1 Converter

功耗: 11.5 mW

寬度: 4.4 mm

商標: Texas Instruments

參考類型: External

DNL - 微分非線性: - 2 /1.5 LSB

INL - 積分非線性: +/- 1.5 LSB

濕度敏感性: Yes

工作電源電壓: 2.7 V to 5.25 V

產(chǎn)品類型: ADCs - Analog to Digital Converters

SINAD - 信噪和失真率: 71.3 dB

工廠包裝數(shù)量: 2000

子類別: Data Converter ICs

單位重量: 97.500 mg

監(jiān)測切削液健康狀態(tài)，并自動進行殺菌、過濾等處理。

在這些應(yīng)用中，采用了自連科技的全場景工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)解決方案的ALXE10B邊緣計算盒子通過工業(yè)接口連接傳感器，在獲取監(jiān)測數(shù)據(jù)后傳遞到云平臺。

邊緣計算在智能制造中正在扮演越來越重要的角色，借助自連科技提供的完整工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)解決方案，我們合作開發(fā)的ALXE10B邊緣計算產(chǎn)品可以幫助制造企業(yè)快速靈活的建立集邊緣計算和云計算一體的智能化解決方案。

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