新產品防止半導體器件受操作過壓及接近直流頻率的過壓影響
發(fā)布時間:2021/8/19 13:25:24 訪問次數(shù):430
這些新產品不僅能防止半導體器件受操作過壓以及接近直流頻率的過壓影響，還可使半導體器件不受寬度達數(shù)百納秒的靜電放電（ESD）[2]和微秒級脈沖寬度的感應雷電過壓[1]的影響。
此外，憑借低動態(tài)電阻和低鉗位電壓等特性，這類產品還可通過吸收浪涌降低半導體器件上的外施電壓，從而提高設備可靠性。
制造商:KEMET產品種類:鋁質電解電容器-螺旋式接線端RoHS: 產品:Low ESR Electrolytic Capacitors電容:6800 uF電壓額定值 DC:250 VDC容差:20 %ESR:20 mOhms最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C直徑:76.6 mm長度:106 mm引線間隔:32 mm壽命:19000 Hour紋波電流:14.7 A系列:封裝:Bulk高度:-端接類型:Screw類型:Long Life Aluminum Electrolytic Capacitor寬度:-商標:KEMET漏泄電流:9100 uA產品類型:Electrolytic Capacitors12子類別:Capacitors測試頻率:100 Hz零件號別名:A351SM682M250A單位重量:585 g
LiDAR（光檢測和測距）系統(tǒng)發(fā)射激光脈沖并評估從不同物體反射的光。
ibeoNEXT可以并行處理許多激光脈沖，從而生成一個環(huán)境3D模型，該模型可以識別碰撞障礙和道路標記以及汽車，騎自行車的人和行人及其各自的位置和運動方向。
相機產生需要通過軟件在空間上解釋的二維圖像，而LiDAR系統(tǒng)提供3D圖像。
Qualcomm Technologies與Facebook團隊展開了密切合作，我們針對Oculus Quest 2對驍龍XR2特性組合進行了增強和定制化，該產品的推出是VR領域的里程碑式成果。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
這些新產品不僅能防止半導體器件受操作過壓以及接近直流頻率的過壓影響，還可使半導體器件不受寬度達數(shù)百納秒的靜電放電（ESD）[2]和微秒級脈沖寬度的感應雷電過壓[1]的影響。
此外，憑借低動態(tài)電阻和低鉗位電壓等特性，這類產品還可通過吸收浪涌降低半導體器件上的外施電壓，從而提高設備可靠性。
制造商:KEMET產品種類:鋁質電解電容器-螺旋式接線端RoHS: 產品:Low ESR Electrolytic Capacitors電容:6800 uF電壓額定值 DC:250 VDC容差:20 %ESR:20 mOhms最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C直徑:76.6 mm長度:106 mm引線間隔:32 mm壽命:19000 Hour紋波電流:14.7 A系列:封裝:Bulk高度:-端接類型:Screw類型:Long Life Aluminum Electrolytic Capacitor寬度:-商標:KEMET漏泄電流:9100 uA產品類型:Electrolytic Capacitors12子類別:Capacitors測試頻率:100 Hz零件號別名:A351SM682M250A單位重量:585 g
LiDAR（光檢測和測距）系統(tǒng)發(fā)射激光脈沖并評估從不同物體反射的光。
ibeoNEXT可以并行處理許多激光脈沖，從而生成一個環(huán)境3D模型，該模型可以識別碰撞障礙和道路標記以及汽車，騎自行車的人和行人及其各自的位置和運動方向。
相機產生需要通過軟件在空間上解釋的二維圖像，而LiDAR系統(tǒng)提供3D圖像。
Qualcomm Technologies與Facebook團隊展開了密切合作，我們針對Oculus Quest 2對驍龍XR2特性組合進行了增強和定制化，該產品的推出是VR領域的里程碑式成果。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 7-18STGWA30IH160DF2 IGBT應用前景簡述
- 7-18最新一代低功耗內存LPDDR6標JESD209-6
- 7-18EMI CISPR25 CLASS 5標準應用探究
- 7-18Android 和Linux OS優(yōu)勢特征
- 7-18汽車混合信號微控制器MSPM0G351X-Q1
- 7-184A，6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅動器
- 7-17第二代儲能電芯加速替代280Ah電芯應用詳情
- 7-17業(yè)界首款超以太網和 UALink IP 解決方案
- 7-17NVLink 和 NVSwitch 關鍵技術參數(shù)探究
- 7-17“Scale Up + Scale Out” 混合架構應用詳解
- 7-17高速速度比（2.5MHz）RRIO操作放大器簡述
- 7-174-20MA信號調節(jié)器技術參數(shù)設計
公網安備44030402000607
