傳統(tǒng)DAC電機(jī)驅(qū)動(dòng)鐵路牽引工業(yè)UPS混合動(dòng)力汽車應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2021/8/28 13:28:05 訪問(wèn)次數(shù):198
以30 MSPS的輸入字速率驅(qū)動(dòng)一個(gè)傳統(tǒng)DAC,DAC輸出頻率為10 MHz。
在30 - 10 = 20 MHz時(shí)的鏡像頻率成分必須通過(guò)模擬抗混疊濾波器進(jìn)行衰減,濾波器的過(guò)渡帶始于10 MHz,止于20 MHz。
假設(shè)必須將鏡像頻率衰減60 dB,則在10 MHz到20 MHz(一個(gè)倍頻程)的過(guò)渡帶內(nèi),濾波器必須從10 MHz的通帶轉(zhuǎn)折頻率變?yōu)?0 dB的阻帶衰減。濾波器每個(gè)極點(diǎn)提供大約6 dB/倍頻程的衰減。
因此,為了提供所需的衰減,至少需要10個(gè)極點(diǎn)。過(guò)渡帶越窄,則濾波器越復(fù)雜。
制造商:Qorvo產(chǎn)品種類:射頻放大器RoHS: 詳細(xì)信息安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:QFN-16類型:Power Amplifiers技術(shù):GaAs工作頻率:380 MHz to 960 MHz增益:32 dB工作電源電壓:3.6 V工作電源電流:230 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:RFPA0133封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商標(biāo):Qorvo產(chǎn)品類型:RF Amplifier工廠包裝數(shù)量:2500子類別:Wireless & RF Integrated Circuits測(cè)試頻率:915 MHz零件號(hào)別名:RFPA0133單位重量:266.237 mg
REFU,SMA和Delta宣布了一種內(nèi)部裝有SiC的新型號(hào)。與同等的IGBT逆變器相比,《光子》雜志對(duì)SMA SiC逆變器進(jìn)行了評(píng)估,效率從98%提高到99%,逆變器的物理重量減少了30%。
隨著可用性的提高,電壓種類的增加和成本的降低,SiC半導(dǎo)體的產(chǎn)量將逐漸增加,從而導(dǎo)致在電機(jī)驅(qū)動(dòng),鐵路牽引工業(yè)UPS甚至混合動(dòng)力汽車等應(yīng)用中得到更多的采用。
Avago Technologies的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器已廣泛用于驅(qū)動(dòng)IGBT等基于硅的半導(dǎo)體。本文將討論如何復(fù)制下一代柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器的改進(jìn),以驅(qū)動(dòng)和保護(hù)SiC MOSFET。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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在30 - 10 = 20 MHz時(shí)的鏡像頻率成分必須通過(guò)模擬抗混疊濾波器進(jìn)行衰減,濾波器的過(guò)渡帶始于10 MHz,止于20 MHz。
假設(shè)必須將鏡像頻率衰減60 dB,則在10 MHz到20 MHz(一個(gè)倍頻程)的過(guò)渡帶內(nèi),濾波器必須從10 MHz的通帶轉(zhuǎn)折頻率變?yōu)?0 dB的阻帶衰減。濾波器每個(gè)極點(diǎn)提供大約6 dB/倍頻程的衰減。
因此,為了提供所需的衰減,至少需要10個(gè)極點(diǎn)。過(guò)渡帶越窄,則濾波器越復(fù)雜。
制造商:Qorvo產(chǎn)品種類:射頻放大器RoHS: 詳細(xì)信息安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:QFN-16類型:Power Amplifiers技術(shù):GaAs工作頻率:380 MHz to 960 MHz增益:32 dB工作電源電壓:3.6 V工作電源電流:230 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:RFPA0133封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商標(biāo):Qorvo產(chǎn)品類型:RF Amplifier工廠包裝數(shù)量:2500子類別:Wireless & RF Integrated Circuits測(cè)試頻率:915 MHz零件號(hào)別名:RFPA0133單位重量:266.237 mg
REFU,SMA和Delta宣布了一種內(nèi)部裝有SiC的新型號(hào)。與同等的IGBT逆變器相比,《光子》雜志對(duì)SMA SiC逆變器進(jìn)行了評(píng)估,效率從98%提高到99%,逆變器的物理重量減少了30%。
隨著可用性的提高,電壓種類的增加和成本的降低,SiC半導(dǎo)體的產(chǎn)量將逐漸增加,從而導(dǎo)致在電機(jī)驅(qū)動(dòng),鐵路牽引工業(yè)UPS甚至混合動(dòng)力汽車等應(yīng)用中得到更多的采用。
Avago Technologies的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器已廣泛用于驅(qū)動(dòng)IGBT等基于硅的半導(dǎo)體。本文將討論如何復(fù)制下一代柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器的改進(jìn),以驅(qū)動(dòng)和保護(hù)SiC MOSFET。
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