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在驅(qū)動用在全橋和半橋PLD模塊內(nèi)有一個專用計數(shù)器記錄空包數(shù)

發(fā)布時間:2021/8/28 16:47:51 訪問次數(shù):378

當(dāng)計數(shù)到188時，表示一個數(shù)據(jù)包接收完成。當(dāng)一個包的數(shù)據(jù)接收完之后，計數(shù)器清零，并置ts188，保持高電平一個時鐘周期。

下一個周期檢測數(shù)據(jù)是否為0x47，如果是，說明是下一個數(shù)據(jù)包的邊界；否則，說明出現(xiàn)了錯誤，并重新回到上一段所說的檢測數(shù)據(jù)包邊界的狀態(tài)。

此外，PLD模塊內(nèi)會有一個專用計數(shù)器記錄空包數(shù)，當(dāng)接收到數(shù)據(jù)包后，會首先檢測此數(shù)據(jù)包是否為空包，如果是空包，PLD模塊會把這個空包刪除，并在計數(shù)器中加1。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerDI3333-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:7.2 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:18 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:33.7 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:810 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類型:1 P-Channel 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:16.6 S 下降時間:30.9 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:14.7 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:53.7 ns 典型接通延遲時間:6.9 ns 單位重量:30 mg

電路還穩(wěn)定驅(qū)動器的偏壓軌,因此在各種工作條件下,保護了潛在的柵-源過壓.

NCP51820提供了重要的保護功能如單獨的欠壓鎖住(UVLO),監(jiān)測VDD偏壓和VDDH和VDDL驅(qū)動器偏壓以及基于芯片結(jié)溫的熱關(guān)斷(TSD).

可編的死區(qū)時間控制能防止交叉導(dǎo)通.

NCP51820主要用在驅(qū)動用在全橋和半橋,LLC,有源箝位反激和正激,圖騰柱PFC和同步整流器拓?fù)涞腉aN功率晶體管,工業(yè)逆變器和馬達驅(qū)動以及AC/DC轉(zhuǎn)換器.

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

當(dāng)計數(shù)到188時，表示一個數(shù)據(jù)包接收完成。當(dāng)一個包的數(shù)據(jù)接收完之后，計數(shù)器清零，并置ts188，保持高電平一個時鐘周期。

下一個周期檢測數(shù)據(jù)是否為0x47，如果是，說明是下一個數(shù)據(jù)包的邊界；否則，說明出現(xiàn)了錯誤，并重新回到上一段所說的檢測數(shù)據(jù)包邊界的狀態(tài)。

此外，PLD模塊內(nèi)會有一個專用計數(shù)器記錄空包數(shù)，當(dāng)接收到數(shù)據(jù)包后，會首先檢測此數(shù)據(jù)包是否為空包，如果是空包，PLD模塊會把這個空包刪除，并在計數(shù)器中加1。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerDI3333-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:7.2 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:18 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:33.7 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:810 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類型:1 P-Channel 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:16.6 S 下降時間:30.9 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:14.7 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:53.7 ns 典型接通延遲時間:6.9 ns 單位重量:30 mg

電路還穩(wěn)定驅(qū)動器的偏壓軌,因此在各種工作條件下,保護了潛在的柵-源過壓.

NCP51820提供了重要的保護功能如單獨的欠壓鎖住(UVLO),監(jiān)測VDD偏壓和VDDH和VDDL驅(qū)動器偏壓以及基于芯片結(jié)溫的熱關(guān)斷(TSD).

可編的死區(qū)時間控制能防止交叉導(dǎo)通.

NCP51820主要用在驅(qū)動用在全橋和半橋,LLC,有源箝位反激和正激,圖騰柱PFC和同步整流器拓?fù)涞腉aN功率晶體管,工業(yè)逆變器和馬達驅(qū)動以及AC/DC轉(zhuǎn)換器.

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