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Maxim Integrated耦合電感專利技術(shù)和單芯片雙邊冷卻功率級(jí)IC

發(fā)布時(shí)間:2021/9/17 19:31:55 訪問(wèn)次數(shù):627

與競(jìng)爭(zhēng)方案相比,采用MAX16602和MAX20790多相芯片組,能夠大幅降低AI系統(tǒng)的發(fā)熱。

得益于Maxim Integrated的耦合電感專利技術(shù)和單芯片雙邊冷卻功率級(jí)IC設(shè)計(jì)，能夠?qū)㈤_(kāi)關(guān)頻率降低50%，從而降低功率損耗。

單芯片集成方案消除了FET和驅(qū)動(dòng)器之間寄生電阻和寄生電感,從而實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高效率。

設(shè)計(jì)師在尋求增強(qiáng)AI性能的同時(shí)，空間限制也為其帶來(lái)了巨大挑戰(zhàn)。該電源芯片組為用戶提供最小的總體方案尺寸，允許開(kāi)發(fā)人員減少元件數(shù)量、降低材料清單(BOM)成本。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:U-DFN3030-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:6.1 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:17 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:350 mV Qg-柵極電荷:8.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:920 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Diodes Incorporated 配置:Dual 下降時(shí)間:234 ns, 234 ns 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:78 ns, 78 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:2 N-Channel 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:562 ns, 562 ns 典型接通延遲時(shí)間:53 ns, 53 ns 單位重量:65 mg

與競(jìng)爭(zhēng)方案相比，芯片組輸出電容的尺寸減小了40%，有效降低總體方案尺寸和電容數(shù)量。該芯片組提供可裁剪方案供用戶定制,以滿足不同輸出電流、不同規(guī)格尺寸的要求。

新增Connective Peripherals系列產(chǎn)品是對(duì)e絡(luò)盟連接產(chǎn)品組合的又一重要補(bǔ)充。

同時(shí)，其適配器和線纜均內(nèi)置電子器件，可輕松連接到任何設(shè)備，且線纜還帶有連接器、裸接線端或單極母插座，可用于配有D型連接器、插頭連接器或需要將線纜焊接到電路板的系統(tǒng)。

適配器板和線纜系列品類齊全,簡(jiǎn)單易用,實(shí)現(xiàn)USB和串行接口之間的互連，適用于各行業(yè)及應(yīng)用領(lǐng)域。

(素材來(lái)源：eepw和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

與競(jìng)爭(zhēng)方案相比,采用MAX16602和MAX20790多相芯片組,能夠大幅降低AI系統(tǒng)的發(fā)熱。

得益于Maxim Integrated的耦合電感專利技術(shù)和單芯片雙邊冷卻功率級(jí)IC設(shè)計(jì)，能夠?qū)㈤_(kāi)關(guān)頻率降低50%，從而降低功率損耗。

單芯片集成方案消除了FET和驅(qū)動(dòng)器之間寄生電阻和寄生電感,從而實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高效率。

設(shè)計(jì)師在尋求增強(qiáng)AI性能的同時(shí)，空間限制也為其帶來(lái)了巨大挑戰(zhàn)。該電源芯片組為用戶提供最小的總體方案尺寸，允許開(kāi)發(fā)人員減少元件數(shù)量、降低材料清單(BOM)成本。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:U-DFN3030-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:6.1 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:17 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:350 mV Qg-柵極電荷:8.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:920 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Diodes Incorporated 配置:Dual 下降時(shí)間:234 ns, 234 ns 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:78 ns, 78 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:2 N-Channel 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:562 ns, 562 ns 典型接通延遲時(shí)間:53 ns, 53 ns 單位重量:65 mg

與競(jìng)爭(zhēng)方案相比，芯片組輸出電容的尺寸減小了40%，有效降低總體方案尺寸和電容數(shù)量。該芯片組提供可裁剪方案供用戶定制,以滿足不同輸出電流、不同規(guī)格尺寸的要求。

新增Connective Peripherals系列產(chǎn)品是對(duì)e絡(luò)盟連接產(chǎn)品組合的又一重要補(bǔ)充。

同時(shí)，其適配器和線纜均內(nèi)置電子器件，可輕松連接到任何設(shè)備，且線纜還帶有連接器、裸接線端或單極母插座，可用于配有D型連接器、插頭連接器或需要將線纜焊接到電路板的系統(tǒng)。

適配器板和線纜系列品類齊全,簡(jiǎn)單易用,實(shí)現(xiàn)USB和串行接口之間的互連，適用于各行業(yè)及應(yīng)用領(lǐng)域。

(素材來(lái)源：eepw和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

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