CMOS元件結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)快速精準(zhǔn)信號(hào)放大完全不受外部噪聲影響

發(fā)布時(shí)間:2021/9/19 10:38:58 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):77

將新產(chǎn)品配置在傳感器等部件的后段時(shí)，利用CMOS元件結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)快速且精準(zhǔn)的信號(hào)放大而完全不受外部噪聲的影響，因此在包括以各種異常檢測(cè)系統(tǒng)為首的廣泛應(yīng)用中，非常有助于減少設(shè)計(jì)工時(shí)并提高系統(tǒng)的可靠性。

新產(chǎn)品已于2021年5月開(kāi)始暫以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)（樣品價(jià)格 300日元/件，不含稅）的規(guī)模投入量產(chǎn)。

例如，在汽車(chē)制造商實(shí)施的“電子輻射抗擾度測(cè)試 ISO 11452-2”中，普通產(chǎn)品的輸出電壓在整個(gè)噪聲頻段內(nèi)波動(dòng)達(dá)到±300mV以上，而新產(chǎn)品的輸出電壓波動(dòng)僅在±10mV以?xún)?nèi)（僅為普通產(chǎn)品的1/30）。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 110 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 214 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 17 ns

高度: 15.65 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

上升時(shí)間: 16 ns

系列: OptiMOS-T

工廠(chǎng)包裝數(shù)量: 50

子類(lèi)別: MOSFETs

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 46 ns

典型接通延遲時(shí)間: 30 ns

寬度: 4.4 mm

零件號(hào)別名: SP000261227 IPP1N4S33XK IPP100N04S303AKSA1

單位重量: 2 g

NCP1680采用小型SOIC-16封裝,也可作為評(píng)估平臺(tái)的一部分,支持快速開(kāi)發(fā)和調(diào)試先進(jìn)圖騰柱PFC設(shè)計(jì)。

一個(gè)使能引腳將同時(shí)關(guān)斷兩個(gè)輸出，且 NCP51561 提供其他重要的保護(hù)功能，如用于兩個(gè)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的獨(dú)立欠壓鎖定 (UVLO) 和使能功能。

安森美半導(dǎo)體提供陣容廣泛的 SiC MOSFET，它們比硅 MOSFET 提供更高能效。

低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 和小巧的芯片尺寸確保低電容和門(mén)極電荷 (Qg)，以在更小的系統(tǒng)尺寸中提供最高的能效，從而提高功率密度。

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