在230Vac電源輸入下垂直統(tǒng)合型生產體制和模擬設計技術優(yōu)勢

發(fā)布時間:2021/9/19 10:40:09 訪問次數:76

ROHM充分利用自有的垂直統(tǒng)合型生產體制和模擬設計技術優(yōu)勢，從2017年開始開發(fā)EMARMOUR™系列，該系列的產品具有非常出色的抗干擾性能，有助于減輕降噪設計負擔，在車載和工業(yè)設備市場獲得了高度好評。

以出色的抗干擾性能著稱的EMARMOUR™系列的開發(fā)初衷，是為了在應用產品中無需采取特別措施也可防止產品因噪聲干擾而誤動作。

其中，此次的新產品在國際通行的4種抗擾度評估測試中均實現超強性能。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

Qg-柵極電荷: 170 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Tube

商標: Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

產品類型: MOSFET

工廠包裝數量: 50

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

零件號別名: IPP100N06S2L-05 SP001067950

單位重量: 2 g

在230 Vac電源輸入下，基于 NCP1680 的 PFC 電路能夠在 300 W實現近 99% 的能效。

在外部只需幾個簡單的器件即可實現全功能圖騰柱 PFC，從而節(jié)省空間和器件成本。進一步減少器件數，實現逐周期電流限制，無需霍爾效應傳感器。

根據圖騰柱開關技術中，當中包括了高速半橋和低速半橋兩路，其中在高速半橋上，NCP1680 可與 NCP51820 半橋 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 門極驅動器或 NCP51561 隔離型 SiC MOSFET 門極驅動器一起使用。

(素材來源：eepw和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）