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過電壓故障偵測響應(yīng)時間通常為100ns的藍(lán)牙LE音頻標(biāo)準(zhǔn)

發(fā)布時間:2021/9/24 12:24:23 訪問次數(shù):101

新的芯片組還被設(shè)計成支持即將到來的藍(lán)牙LE音頻標(biāo)準(zhǔn)。

這個新標(biāo)準(zhǔn)還沒有最終確定,但它承諾了一些功能,比如用于從一個設(shè)備中傳輸多個同步音頻流--這對無線耳塞很有用--以及支持個人音頻共享,這樣就可以與我們身邊的人分享你的智能手機(jī)中的音樂。

還有基于位置的分享可以讓機(jī)場和健身房等公共場所與游客分享藍(lán)牙音頻。

對于藍(lán)牙LE音頻來說,現(xiàn)在確定它的功能細(xì)節(jié)還為時過早,但在今天宣布之前的新聞發(fā)布會上,高通強(qiáng)調(diào),一旦標(biāo)準(zhǔn)得到批準(zhǔn),其新芯片將為其做好準(zhǔn)備。

制造商:onsemi產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SSOT-3晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30 VId-連續(xù)漏極電流:2 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:63 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:3 VQg-柵極電荷:9 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:500 mW通道模式:Enhancement商標(biāo)名:封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):onsemi / Fairchild配置:Single下降時間:13 ns正向跨導(dǎo) - 最小值:5 S高度:1.12 mm長度:2.9 mm產(chǎn)品:MOSFET Small Signal產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:13 ns系列:3000子類別:MOSFETs晶體管類型:1 P-Channel類型:MOSFET典型關(guān)閉延遲時間:11 ns典型接通延遲時間:6 ns寬度:1.4 mm零件號別名:FDN360P_NL單位重量:30 mg

該款SoC是針對ADAS和AD的Renesas autonomy的最新成員。

該平臺基于全新R-Car Gen4架構(gòu),可提供從入門級NCAP應(yīng)用到高級自動駕駛系統(tǒng)的可擴(kuò)展性。R-Car V3U為瑞薩下一代高性能ADAS和AD產(chǎn)品奠定了基礎(chǔ)。

DPO2039DABQ 整合高效能 MOSFET、閘極驅(qū)動器和控制邏輯,有助于在偵測到故障情形時隔離所有數(shù)據(jù)傳輸線。該產(chǎn)品的過電壓故障偵測響應(yīng)時間通常為 100ns,而熱關(guān)機(jī)功能則預(yù)先配置了 +150°C 的閥值和 +20°C 的遲滯溫度。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

新的芯片組還被設(shè)計成支持即將到來的藍(lán)牙LE音頻標(biāo)準(zhǔn)。

這個新標(biāo)準(zhǔn)還沒有最終確定,但它承諾了一些功能,比如用于從一個設(shè)備中傳輸多個同步音頻流--這對無線耳塞很有用--以及支持個人音頻共享,這樣就可以與我們身邊的人分享你的智能手機(jī)中的音樂。

還有基于位置的分享可以讓機(jī)場和健身房等公共場所與游客分享藍(lán)牙音頻。

對于藍(lán)牙LE音頻來說,現(xiàn)在確定它的功能細(xì)節(jié)還為時過早,但在今天宣布之前的新聞發(fā)布會上,高通強(qiáng)調(diào),一旦標(biāo)準(zhǔn)得到批準(zhǔn),其新芯片將為其做好準(zhǔn)備。

制造商:onsemi產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SSOT-3晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30 VId-連續(xù)漏極電流:2 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:63 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:3 VQg-柵極電荷:9 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:500 mW通道模式:Enhancement商標(biāo)名:封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):onsemi / Fairchild配置:Single下降時間:13 ns正向跨導(dǎo) - 最小值:5 S高度:1.12 mm長度:2.9 mm產(chǎn)品:MOSFET Small Signal產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:13 ns系列:3000子類別:MOSFETs晶體管類型:1 P-Channel類型:MOSFET典型關(guān)閉延遲時間:11 ns典型接通延遲時間:6 ns寬度:1.4 mm零件號別名:FDN360P_NL單位重量:30 mg

該款SoC是針對ADAS和AD的Renesas autonomy的最新成員。

該平臺基于全新R-Car Gen4架構(gòu),可提供從入門級NCAP應(yīng)用到高級自動駕駛系統(tǒng)的可擴(kuò)展性。R-Car V3U為瑞薩下一代高性能ADAS和AD產(chǎn)品奠定了基礎(chǔ)。

DPO2039DABQ 整合高效能 MOSFET、閘極驅(qū)動器和控制邏輯,有助于在偵測到故障情形時隔離所有數(shù)據(jù)傳輸線。該產(chǎn)品的過電壓故障偵測響應(yīng)時間通常為 100ns,而熱關(guān)機(jī)功能則預(yù)先配置了 +150°C 的閥值和 +20°C 的遲滯溫度。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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