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60TOPS高性能的同時實(shí)現(xiàn)低功耗及被動式散熱

發(fā)布時間:2021/9/24 12:32:39 訪問次數(shù):99

汽車感性負(fù)載控制,例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關(guān)斷時間(高達(dá)4倍)外,該技術(shù)還能通過減少BOM數(shù)量簡化設(shè)計(jì)。

在汽車動力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領(lǐng)域,基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動鉗位拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行構(gòu)建。

此外,與升壓拓?fù)湎啾龋@一產(chǎn)品系列可以減少多達(dá)15個板載器件,將器件管腳尺寸效率提高多達(dá)30%,從而簡化設(shè)計(jì)。

制造商:Vishay產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:80 VId-連續(xù)漏極電流:2.2 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:270 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:17 nC最小工作溫度:- 50 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:2.5 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):Vishay Semiconductors配置:Single下降時間:12 ns正向跨導(dǎo) - 最小值:4.3 S高度:1.45 mm長度:2.9 mm產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:15 ns系列:3000子類別:MOSFETs晶體管類型:1 P-Channel典型關(guān)閉延遲時間:20 ns典型接通延遲時間:10 ns寬度:1.6 mm零件號別名:SI2337DS-T1-BE3 SI2337DS-E3單位重量:8 mg

這是一款功能更強(qiáng)大的芯片,與前代304x的三個核心相比,它擁有四個更強(qiáng)大的核心。

這種額外的處理能力現(xiàn)在將使耳塞制造商能夠提供自適應(yīng)主動降噪和支持使用喚醒詞來主動Alexa或谷歌助理等功能。

通常,希望實(shí)現(xiàn)重復(fù)雪崩拓?fù)涞墓こ處煵坏貌灰蕾嚮陉惻f平面半導(dǎo)體技術(shù)的器件。

R-Car V3U提供高度靈活的DNN(深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò))注1和AI機(jī)器學(xué)習(xí)功能。其靈活架構(gòu)能夠運(yùn)行所有用于汽車障礙物檢測與分類任務(wù)的最前沿神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),提供60 TOPS高性能的同時,實(shí)現(xiàn)低功耗及被動式散熱。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

汽車感性負(fù)載控制,例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關(guān)斷時間(高達(dá)4倍)外,該技術(shù)還能通過減少BOM數(shù)量簡化設(shè)計(jì)。

在汽車動力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領(lǐng)域,基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動鉗位拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行構(gòu)建。

此外,與升壓拓?fù)湎啾,這一產(chǎn)品系列可以減少多達(dá)15個板載器件,將器件管腳尺寸效率提高多達(dá)30%,從而簡化設(shè)計(jì)。

制造商:Vishay產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:80 VId-連續(xù)漏極電流:2.2 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:270 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:17 nC最小工作溫度:- 50 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:2.5 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):Vishay Semiconductors配置:Single下降時間:12 ns正向跨導(dǎo) - 最小值:4.3 S高度:1.45 mm長度:2.9 mm產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:15 ns系列:3000子類別:MOSFETs晶體管類型:1 P-Channel典型關(guān)閉延遲時間:20 ns典型接通延遲時間:10 ns寬度:1.6 mm零件號別名:SI2337DS-T1-BE3 SI2337DS-E3單位重量:8 mg

這是一款功能更強(qiáng)大的芯片,與前代304x的三個核心相比,它擁有四個更強(qiáng)大的核心。

這種額外的處理能力現(xiàn)在將使耳塞制造商能夠提供自適應(yīng)主動降噪和支持使用喚醒詞來主動Alexa或谷歌助理等功能。

通常,希望實(shí)現(xiàn)重復(fù)雪崩拓?fù)涞墓こ處煵坏貌灰蕾嚮陉惻f平面半導(dǎo)體技術(shù)的器件。

R-Car V3U提供高度靈活的DNN(深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò))注1和AI機(jī)器學(xué)習(xí)功能。其靈活架構(gòu)能夠運(yùn)行所有用于汽車障礙物檢測與分類任務(wù)的最前沿神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),提供60 TOPS高性能的同時,實(shí)現(xiàn)低功耗及被動式散熱。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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