新的愛普科斯(EPCOS) 超緊湊型X2電容器，額定工作電壓為 275 V AC，容值范圍為33 nF ~ 1 μF。

新元件的一大亮點是超緊湊的尺寸，僅為4.0 × 9.0 × 13.0 mm (33 nF) ~ 10.5 × 16.5 × 26.5 mm (1 μF)，具體同樣取決于容值。

該型電容器通過UL、EN和IEC 60384-14:2013標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，采用阻燃等級為UL 94 V-0的外殼和灌封材料，最高工作溫度可達(dá)110 °C。

憑借超緊湊尺寸，該符合RoHS規(guī)定的新系列電容器廣泛適用于各種室內(nèi)家電和消費類電子產(chǎn)品。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:3.6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:103 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V Qg-柵極電荷:4.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Infineon / IR 配置:Single 高度:1.1 mm 長度:2.9 mm 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:1.3 mm 零件號別名:IRLML9301TRPBF SP001568914 單位重量:8 mg

隨著嵌入式設(shè)備的種類和數(shù)量的增加，設(shè)備之間日益增長的互聯(lián)互通、制造商對安全的忽視、設(shè)備固件更新不及時或難以更新等，使得嵌入式設(shè)備的安全受到了嚴(yán)峻的考驗，越來越多的設(shè)備漏洞被披露。

但由于嵌入式設(shè)備種類繁多、專用性強、源碼或設(shè)計文檔往往不公開、運行環(huán)境受限等諸多因素的影響，通用漏洞挖掘技術(shù)無法直接適配。

嵌入式設(shè)備及其固件的表現(xiàn)形式、分類及獲取方法、面臨的安全攻擊層面以及自動化解析情況進行了深入研究。

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