交流400V、輸出48W以下的輔助電源時(shí)，與采用普通產(chǎn)品的配置相比，部件數(shù)量顯著減少（將散熱板和12個(gè)部件縮減為1個(gè)）。

這不僅可以降低部件故障的風(fēng)險(xiǎn)，還通過SiC MOSFET將功率轉(zhuǎn)換效率提高多達(dá)5％。因此，不僅有助于大幅削減工廠的安裝成本，還可以提供更加小型、更高可靠性及更節(jié)能的解決方案。

與它們所替代的硅部件相比，SiC功率器件的能效得到了極大的提高，而且成本溢價(jià)大幅下降，使得更多的應(yīng)用能夠從這些器件中受益，從而獲得更好的系統(tǒng)性能和價(jià)值。

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 49 V

Id-連續(xù)漏極電流: 36 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

Qg-柵極電荷: 155 nC

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 36 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 30 S

高度: 4.4 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 37 ns

系列: BTS282

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 70 ns

典型接通延遲時(shí)間: 30 ns

寬度: 9.25 mm

零件號(hào)別名: BTS282Z E3180A SP000910848

單位重量: 1.600 g

SiC MOSFET技術(shù)支持Midnite Solar最新的電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品設(shè)計(jì)，我們確實(shí)很高興看到先進(jìn)的功率器件和系統(tǒng)解決方案為我們的尊貴客戶帶來積極的改變。

數(shù)據(jù)采集插件允許在設(shè)計(jì)過程中訪問任意節(jié)點(diǎn)信號(hào)，可以將信號(hào)送至矢量信號(hào)發(fā)生器并應(yīng)用于可用硬件，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)混合硬件/仿真實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)級(jí)分析。

R&S VSESIM-VSS 的一項(xiàng)重要特色是支持直接數(shù)字預(yù)失真 (DPD) 技術(shù)，在功率放大器開發(fā)的仿真階段就可以驗(yàn)證線性化效果。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）