eFuse IC旨在替代此類熔斷器，為電源線提供保護(hù)和安全性，同時(shí)在高度精確的過(guò)流保護(hù)之外，提供一系列內(nèi)置的保護(hù)功能。

TCKE712BNL采用過(guò)壓保護(hù)功能保護(hù)電源線，該功能可根據(jù)用戶要求通過(guò)外部電阻器進(jìn)行調(diào)整。同時(shí)，它內(nèi)置關(guān)斷狀態(tài)下的反向阻斷電流功能，可用于電源多路復(fù)用器應(yīng)用。

此外，它還內(nèi)置有過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)和熱關(guān)斷功能。該器件還具有FLAG功能，如果電路中發(fā)生異常，可以發(fā)出外部信號(hào)，與東芝當(dāng)前的產(chǎn)品相比，更容易檢測(cè)到可能的故障。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

Qg-柵極電荷: 170 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

零件號(hào)別名: IPP100N06S2L-05 SP001067950

單位重量: 2 g

SiT5008 是一種小型低功耗 ±2ppm MEMS TCXO，具備以下特性：

10Mhz 至 60MHz 之間的任意頻率精度達(dá)到小數(shù)點(diǎn)后 6 位

±2ppm 至 ±10ppm 的頻率穩(wěn)定性

工作溫度 -40 至 +85°C

1.8V 下典型的 3.5mA 低功耗

提供待機(jī)模式，延長(zhǎng)電池使用壽命

LVCMOS 輸出

工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)型 2.5mm x 2.0mm 封裝，100% 引腳兼容石英器件

滿足 RoHS 和 REACH 法規(guī)要求，不含鉛、鹵素和銻

(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）