6m新器件RDS(on)值不到最接近SiC MOSFET競爭產(chǎn)品一半
發(fā)布時間:2021/9/29 17:40:13 訪問次數(shù):243
750V、6mΩ器件,從而響應了電源設計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的需求。
這款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET競爭產(chǎn)品的一半,并且還提供了魯棒的5μs額定短路耐受時間。
產(chǎn)品包括750V SiC FET系列中的9種新器件/封裝選項,額定值為6、9、11、23、33和44mΩ。
這一750V擴展系列與現(xiàn)有的18和60mΩ器件相輔相成,其為設計人員提供了更多的器件方案,實現(xiàn)了更大的設計靈活性,因此可實現(xiàn)最佳的性價比權(quán)衡,同時保持充足的設計裕度和電路魯棒性。
制造商: Renesas Electronics
產(chǎn)品種類: 開關(guān)控制器
RoHS: 詳細信息
輸出端數(shù)量: 2 Output
開關(guān)頻率: 1000 kHz
輸出電流: 1 A
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 105 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: MSOP-8
封裝: Tube
商標: Renesas / Intersil
高度: 0 mm
長度: 3 mm
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Switching Controllers
系列: ISL6744A
工廠包裝數(shù)量: 980
子類別: PMIC - Power Management ICs
類型: Intermediate Bus PWM Controller
寬度: 3 mm
單位重量: 25 mg
九個新系列(LCW15、LCW25、LCW35、LCW50、LCW75、LCW100、LCW150、LCW200和LCW320)的功率水平從15W到320W不等。
所有模塊均符合EN 55032 B級傳導和輻射標準,便于低成本集成,并配有集成連接器蓋,以提高安裝后的安全性。
這款產(chǎn)品的超薄和緊湊的設計進一步簡化了與終端應用的整合。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
750V、6mΩ器件,從而響應了電源設計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的需求。
這款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET競爭產(chǎn)品的一半,并且還提供了魯棒的5μs額定短路耐受時間。
產(chǎn)品包括750V SiC FET系列中的9種新器件/封裝選項,額定值為6、9、11、23、33和44mΩ。
這一750V擴展系列與現(xiàn)有的18和60mΩ器件相輔相成,其為設計人員提供了更多的器件方案,實現(xiàn)了更大的設計靈活性,因此可實現(xiàn)最佳的性價比權(quán)衡,同時保持充足的設計裕度和電路魯棒性。
制造商: Renesas Electronics
產(chǎn)品種類: 開關(guān)控制器
RoHS: 詳細信息
輸出端數(shù)量: 2 Output
開關(guān)頻率: 1000 kHz
輸出電流: 1 A
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 105 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: MSOP-8
封裝: Tube
商標: Renesas / Intersil
高度: 0 mm
長度: 3 mm
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Switching Controllers
系列: ISL6744A
工廠包裝數(shù)量: 980
子類別: PMIC - Power Management ICs
類型: Intermediate Bus PWM Controller
寬度: 3 mm
單位重量: 25 mg
九個新系列(LCW15、LCW25、LCW35、LCW50、LCW75、LCW100、LCW150、LCW200和LCW320)的功率水平從15W到320W不等。
所有模塊均符合EN 55032 B級傳導和輻射標準,便于低成本集成,并配有集成連接器蓋,以提高安裝后的安全性。
這款產(chǎn)品的超薄和緊湊的設計進一步簡化了與終端應用的整合。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)