高濃縮甲醇能用在功率產(chǎn)生過程中所帶來的副產(chǎn)品水來進(jìn)行稀釋
發(fā)布時(shí)間:2021/10/1 20:40:53 訪問次數(shù):103
全新的 Exynos 處理器--Exynos W920,是為可穿戴設(shè)備量身定做的。
它是三年前與初代 Galaxy Watch 一起發(fā)布的 Exynos 9110 芯片的繼任者。Exynos W920 將于明天在 Galaxy Watch 4 和 Galaxy Watch 4 Classic 中首次亮相。
在比上一代產(chǎn)品更省電的同時(shí),新的 Exynos W920 芯片保證了更快的性能。
Exynos W920 采用三星代工最新的 5nm 工藝制造。它具有兩個(gè) ARM Cortex-A55 CPU 內(nèi)核和 ARM Mali-G68 GPU。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 174 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 100 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 5 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 72 S
高度: 4.4 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 6 ns
系列: OptiMOS 5
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 24 ns
典型接通延遲時(shí)間: 19 ns
寬度: 9.25 mm
零件號(hào)別名: IPB044N15N5 SP001326442
單位重量: 1.600 g

制造商通過開發(fā)稀釋系統(tǒng)克服了這個(gè)問題,該系統(tǒng)允許高濃縮甲醇能用在功率產(chǎn)生過程中所帶來的副產(chǎn)品水來進(jìn)行稀釋.
這種技術(shù)允許甲醇能以更高的濃度存儲(chǔ),其燃料箱僅為存儲(chǔ)3%-6%濃度的甲醇體積的1/10.目前的產(chǎn)品在25cc高濃度甲醇時(shí)能工作大約20小時(shí).
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
全新的 Exynos 處理器--Exynos W920,是為可穿戴設(shè)備量身定做的。
它是三年前與初代 Galaxy Watch 一起發(fā)布的 Exynos 9110 芯片的繼任者。Exynos W920 將于明天在 Galaxy Watch 4 和 Galaxy Watch 4 Classic 中首次亮相。
在比上一代產(chǎn)品更省電的同時(shí),新的 Exynos W920 芯片保證了更快的性能。
Exynos W920 采用三星代工最新的 5nm 工藝制造。它具有兩個(gè) ARM Cortex-A55 CPU 內(nèi)核和 ARM Mali-G68 GPU。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 174 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 100 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 5 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 72 S
高度: 4.4 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 6 ns
系列: OptiMOS 5
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 24 ns
典型接通延遲時(shí)間: 19 ns
寬度: 9.25 mm
零件號(hào)別名: IPB044N15N5 SP001326442
單位重量: 1.600 g

制造商通過開發(fā)稀釋系統(tǒng)克服了這個(gè)問題,該系統(tǒng)允許高濃縮甲醇能用在功率產(chǎn)生過程中所帶來的副產(chǎn)品水來進(jìn)行稀釋.
這種技術(shù)允許甲醇能以更高的濃度存儲(chǔ),其燃料箱僅為存儲(chǔ)3%-6%濃度的甲醇體積的1/10.目前的產(chǎn)品在25cc高濃度甲醇時(shí)能工作大約20小時(shí).
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