片內(nèi)的鎖相環(huán)(PLL)時(shí)鐘,從單一晶體或時(shí)鐘輸入提供所有的內(nèi)部用時(shí)鐘和兩個(gè)外部時(shí)鐘.CX90010工作在兩種電壓1.8V和3.3V.

在電源設(shè)計(jì)中使用碳化硅二極管而不是基于傳統(tǒng)硅基技術(shù)的二極管有助于設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)更節(jié)能的電源轉(zhuǎn)換器，從而節(jié)省能源并降低與冷卻電力電子設(shè)備相關(guān)的成本。

這些產(chǎn)品可支持設(shè)計(jì)出轉(zhuǎn)換器中響應(yīng)更快的開(kāi)關(guān)功率電子設(shè)備，然后可以在相同的輸出功率下讓外形尺寸更加緊湊，或者在相同的體積下提供更高的功率。

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PQFN-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V

Id-連續(xù)漏極電流: 64 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

Qg-柵極電荷: 15 nC, 66 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 31 W, 63 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: FastIRFet

封裝: Reel

商標(biāo): Infineon / IR

配置: Dual

下降時(shí)間: 15 ns, 60 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 131 S, 161 S

高度: 0.9 mm

長(zhǎng)度: 6 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 61 ns, 105 ns

工廠包裝數(shù)量: 4000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 2 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13 ns, 35 ns

典型接通延遲時(shí)間: 10 ns, 24 ns

寬度: 5 mm

零件號(hào)別名: IRFH4251DTRPBF SP001556236

單位重量: 122.136 mg

擴(kuò)大的原邊負(fù)電流限制范圍帶來(lái)更多的靈活性，使用一個(gè)典型的變壓器線圈匝數(shù)比就可以獲得適合的副邊電流。

變換器軟啟動(dòng)可以設(shè)置,能夠工作可靠性，還為原邊恒流保護(hù)提供逐脈沖電流檢測(cè)功能。

300ns預(yù)設(shè)電流檢測(cè)消隱時(shí)間可以過(guò)濾變壓器漏感產(chǎn)生的振蕩，確保芯片在高邊開(kāi)關(guān)通斷期間具有更高的穩(wěn)定性。