由于續(xù)流 SiC 肖特基二極管與 IGBT 在共同封裝中，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變情況下，CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低開關(guān)損耗。

與標(biāo)準(zhǔn)的硅二極管解決方案相比，新產(chǎn)品可降低多達(dá) 60% 的 Eon和30%的Eoff�；蛘�，也可在輸出功率保持不變情況下，提高開關(guān)頻率至少40%。

較高的開關(guān)頻率有助于縮小無(wú)源元件的尺寸，進(jìn)而降低物料清單成本。該Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP5 IGBT，無(wú)需重新設(shè)計(jì)，便能使每10 kHz開關(guān)頻率提升0.1%的效率。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 77.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 37 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V

Qg-柵極電荷: 290 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 481 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: CoolMOS

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 7 ns

高度: 21.1 mm

長(zhǎng)度: 16.13 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 10 ns

系列: CoolMOS C6

工廠包裝數(shù)量: 30

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 130 ns

典型接通延遲時(shí)間: 23 ns

寬度: 5.21 mm

零件號(hào)別名: IPW6R41C6XK SP000718886 IPW60R041C6FKSA1

單位重量: 6 g

它們的主要性能如下:

低導(dǎo)通電阻(Ron),最大為1.0到1.35歐姆,

寬的工作電壓1.65V-5.5V,

總失真(THD)低,為0.002%,

Ron平坦度,典型為0.2歐姆.

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