ADE7758能和各種傳感器接口,包括電流變壓器和di/dt電流傳感器如Rogowski線圈.

全新PSMN4R2-80YSE（80 V，4.2 m）和PSMN4R8-100YSE（100 V，4.8 m）熱插拔ASFET采用兼容Power-SO8的LFPAK56E封裝。

該封裝獨(dú)特的內(nèi)部銅夾片結(jié)構(gòu)提高了熱性能與電氣性能，同時大大減小了管腳尺寸。  

全新的LFPAK56E產(chǎn)品尺寸僅為5 mm x 6 mm x 1.1 mm，與上一代D2PAK相比，PCB管腳尺寸和器件高度分別縮小80%和75%。此外，器件的最大結(jié)溫為175 °C，符合IPC9592對電信和工業(yè)應(yīng)用的規(guī)定。

通過專注于對某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù)，有時需要犧牲相同設(shè)計(jì)中其他較不重要的參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET將Nexperia的最新硅技術(shù)與銅夾片封裝結(jié)構(gòu)相結(jié)合，顯著增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)并最大限度縮小PCB面積。

MOSFET深受Spirito效應(yīng)的影響,導(dǎo)致SOA性能因在較高電壓下熱不穩(wěn)定性而迅速下降。

Nexperia堅(jiān)固耐用的增強(qiáng)型SOA技術(shù)消除了“Spirito-knee”，與前幾代D2PAK相比，在50 V時SOA增加了166%。

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