新的無ROM結構加速取樣時間和縮短產品支持反壓-24V過壓28V保護
發(fā)布時間:2021/10/2 23:47:32 訪問次數:111
88系列的整體安全概念保證存儲在EEPROM中的數據和代碼能像存儲在ROM中那樣安全,只有經授權的用戶能重新編程智能卡.
和ROM掩模板存儲用戶代碼的安全控制器相比,新的無ROM結構加速取樣時間和縮短產品走向市場的時間,從大約六個星期減少到最多的兩個星期.
制造商:Infineon產品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息技術:Si安裝風格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-220-3晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續(xù)漏極電流:343 ARds On-漏源導通電阻:1.4 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2.5 VQg-柵極電荷:108 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:375 W通道模式:Enhancement封裝:Tube配置:Single高度:15.65 mm長度:10 mm晶體管類型:1 N-Channel寬度:4.4 mm商標:Infineon / IR正向跨導 - 最小值:286 S下降時間:355 ns產品類型:MOSFET上升時間:827 ns工廠包裝數量:100子類別:MOSFETs典型關閉延遲時間:97 ns典型接通延遲時間:65 ns零件號別名:IRLB3034PBF SP001578716單位重量:2 g
高達18V的高壓供電，支持反壓-24V過壓28V保護，可承受3x過載壓力和5x爆破壓力，具有較高可靠性與穩(wěn)定性。
小于0.8ms的快速響應時間，可以快速控制空燃比。
10kPa~400kPa內量程可定制，支持多種壓力應用場景，靈活性高，也可提供MEMS晶圓定制化產品。
納芯微NSPAS3同樣采用MEMS壓阻技術，能夠很好的兼容外商產品，無縫實現(xiàn)國產化替代，且響應時間更快，功耗更低，還具有更強的過載與耐爆破壓力能力。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
88系列的整體安全概念保證存儲在EEPROM中的數據和代碼能像存儲在ROM中那樣安全,只有經授權的用戶能重新編程智能卡.
和ROM掩模板存儲用戶代碼的安全控制器相比,新的無ROM結構加速取樣時間和縮短產品走向市場的時間,從大約六個星期減少到最多的兩個星期.
制造商:Infineon產品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息技術:Si安裝風格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-220-3晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續(xù)漏極電流:343 ARds On-漏源導通電阻:1.4 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2.5 VQg-柵極電荷:108 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:375 W通道模式:Enhancement封裝:Tube配置:Single高度:15.65 mm長度:10 mm晶體管類型:1 N-Channel寬度:4.4 mm商標:Infineon / IR正向跨導 - 最小值:286 S下降時間:355 ns產品類型:MOSFET上升時間:827 ns工廠包裝數量:100子類別:MOSFETs典型關閉延遲時間:97 ns典型接通延遲時間:65 ns零件號別名:IRLB3034PBF SP001578716單位重量:2 g
高達18V的高壓供電，支持反壓-24V過壓28V保護，可承受3x過載壓力和5x爆破壓力，具有較高可靠性與穩(wěn)定性。
小于0.8ms的快速響應時間，可以快速控制空燃比。
10kPa~400kPa內量程可定制，支持多種壓力應用場景，靈活性高，也可提供MEMS晶圓定制化產品。
納芯微NSPAS3同樣采用MEMS壓阻技術，能夠很好的兼容外商產品，無縫實現(xiàn)國產化替代，且響應時間更快，功耗更低，還具有更強的過載與耐爆破壓力能力。
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