802.11a/b/g和串行ATA給系統(tǒng)設(shè)計(jì)者靈活地建造各種解決方案
發(fā)布時(shí)間:2021/10/3 17:06:23 訪問次數(shù):67
新型IDT RC32434 Interprise完整的通信處理器,目標(biāo)應(yīng)在新興的數(shù)字家庭網(wǎng)絡(luò),包括多媒體應(yīng)用如媒體服務(wù)器,媒體適配器和基于IP的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備.
集成的非揮發(fā)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVRAM)和用于安全的鑒別單元(AU),使設(shè)計(jì)者能區(qū)分他們的設(shè)計(jì).
IDT RC32434處理器還集成16位寬的DDR存儲(chǔ)器控制器,提供通常需要較大存儲(chǔ)器子系統(tǒng)才能有的性能.
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 21 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 53 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 68 W
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 3 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 9 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13 ns
典型接通延遲時(shí)間: 9 ns
零件號(hào)別名: SP000521720 IPD530N15N3GBTMA1
單位重量: 330 mg
Microchip將內(nèi)部碳化硅裸片生產(chǎn)與低電感功率封裝和數(shù)字可編程門驅(qū)動(dòng)器相結(jié)合,使設(shè)計(jì)人員能夠制造出最高效、緊湊和可靠的最終產(chǎn)品。
該器件的工作電壓為1.8V,在24MHz時(shí),130萬像素圖像以每秒15幀的速率重現(xiàn)時(shí),它的功耗僅為72mW.
CPU和圖像引擎完全集成在單一芯片上使DMN-8602成為當(dāng)今市場上最完整和價(jià)格最有競爭能力的DVD可刻錄解決方案.
此外,最佳的圖像覆蓋功能,能對(duì)令人滿意的文本和圖標(biāo)進(jìn)行快照,并能用四級(jí)透明度進(jìn)行預(yù)覽.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
新型IDT RC32434 Interprise完整的通信處理器,目標(biāo)應(yīng)在新興的數(shù)字家庭網(wǎng)絡(luò),包括多媒體應(yīng)用如媒體服務(wù)器,媒體適配器和基于IP的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備.
集成的非揮發(fā)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVRAM)和用于安全的鑒別單元(AU),使設(shè)計(jì)者能區(qū)分他們的設(shè)計(jì).
IDT RC32434處理器還集成16位寬的DDR存儲(chǔ)器控制器,提供通常需要較大存儲(chǔ)器子系統(tǒng)才能有的性能.
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 21 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 53 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 68 W
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 3 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 9 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13 ns
典型接通延遲時(shí)間: 9 ns
零件號(hào)別名: SP000521720 IPD530N15N3GBTMA1
單位重量: 330 mg
Microchip將內(nèi)部碳化硅裸片生產(chǎn)與低電感功率封裝和數(shù)字可編程門驅(qū)動(dòng)器相結(jié)合,使設(shè)計(jì)人員能夠制造出最高效、緊湊和可靠的最終產(chǎn)品。
該器件的工作電壓為1.8V,在24MHz時(shí),130萬像素圖像以每秒15幀的速率重現(xiàn)時(shí),它的功耗僅為72mW.
CPU和圖像引擎完全集成在單一芯片上使DMN-8602成為當(dāng)今市場上最完整和價(jià)格最有競爭能力的DVD可刻錄解決方案.
此外,最佳的圖像覆蓋功能,能對(duì)令人滿意的文本和圖標(biāo)進(jìn)行快照,并能用四級(jí)透明度進(jìn)行預(yù)覽.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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