新聚合物材料具有創(chuàng)新的DRAM集成概念.傳統(tǒng)的硅集成是基于少數(shù)幾種材料如硅,二氧化硅和氮化硅,限制了集成方法.

用這種技術(shù)所制造的存儲(chǔ)器單元有很好的可靠性數(shù)據(jù).第一次的數(shù)據(jù)保存時(shí)間超過一年,而且它的尺寸可小于20nm.

這種有機(jī)存儲(chǔ)材料是很吸引人的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的侯選材料.

制造商:Everspin Technologies產(chǎn)品種類:磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM)RoHS: 封裝 / 箱體:TSOP-44接口類型:Parallel存儲(chǔ)容量:4 Mbit組織:256 k x 16數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit訪問時(shí)間:35 ns電源電壓-最小:3 V電源電壓-最大:3.6 V工作電源電流:105 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 105 C系列:封裝:Tray商標(biāo):Everspin Technologies安裝風(fēng)格:SMD/SMT濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:MRAM135子類別:Memory & Data Storage單位重量:13.628 g

NSM201X系列產(chǎn)品主要特點(diǎn)包括：

NSM201X系列具備高靈敏度，低零點(diǎn)誤差及良好的線性度（非線性度正負(fù)0.2%）等特性，能夠降低器件的整體輸出誤差，在工作溫度范圍內(nèi)，最大測量誤差±1.5%。產(chǎn)品目前已經(jīng)通過UL62368、IEC62368、TUV等認(rèn)證。

寬體16腳版本的最大隔離工作電壓大于1550Vpk、絕緣性能為1min耐壓為5000Vrms、浪涌絕緣耐壓大于10kV。

窄體8腳封裝支持600Vpk的工作電壓，絕緣性能為1min耐壓為3000Vrms的，浪涌絕緣耐壓大于6kV。

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