AVC轉(zhuǎn)換器具有12mA的驅(qū)動(dòng)電流3.5ns的快速傳輸時(shí)延
發(fā)布時(shí)間:2021/10/5 14:34:16 訪問(wèn)次數(shù):404
當(dāng)微處理器I/O電壓要往更低接點(diǎn)轉(zhuǎn)移而外設(shè)維持在較高的電壓,微處理器和外設(shè)間的I/O電壓不匹配是常有的事.
TI的新型雙電源電平轉(zhuǎn)換器允許兩個(gè)有不同接口電壓的器件進(jìn)行通信,從而保持了信號(hào)的完整性和速度.從1.4V到3.6V的轉(zhuǎn)換采用AVC技術(shù),而1.65V到5.5V的轉(zhuǎn)換采用LVC技術(shù),能進(jìn)行完全的配置.
當(dāng)從1.8V到3.3V轉(zhuǎn)換時(shí),AVC轉(zhuǎn)換器具有12mA的驅(qū)動(dòng)電流,3.5ns的快速傳輸時(shí)延.當(dāng)從3.3V到5V轉(zhuǎn)換時(shí),LVC轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度達(dá)32mA,傳輸時(shí)延為4ns.
制造商:STMicroelectronics產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:10 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:160 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:6.4 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:35 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101商標(biāo)名:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single系列:晶體管類型:1 P-Channel Power MOSFET商標(biāo):STMicroelectronics下降時(shí)間:3.7 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:5.3 ns2500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:14 ns典型接通延遲時(shí)間:64 ns單位重量:330 mg
CPC1130N和CPC1131N的導(dǎo)通電阻最大為30歐姆,而CPC1135N則為35歐姆.它的封裝為4引腳SOP,占為面積15.5平方毫米,高度僅為2mm,比同類產(chǎn)品要小20%.
這些產(chǎn)品所使用的耗盡型MOSFET使產(chǎn)品在常閉或1 Form B繼電器配置.
其結(jié)果是,沒(méi)有電源時(shí),繼電器依然是常閉的.這對(duì)于各種重要的通信線路,降功耗和故障保險(xiǎn)電話以及安全應(yīng)用是至關(guān)重要的.
(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
當(dāng)微處理器I/O電壓要往更低接點(diǎn)轉(zhuǎn)移而外設(shè)維持在較高的電壓,微處理器和外設(shè)間的I/O電壓不匹配是常有的事.
TI的新型雙電源電平轉(zhuǎn)換器允許兩個(gè)有不同接口電壓的器件進(jìn)行通信,從而保持了信號(hào)的完整性和速度.從1.4V到3.6V的轉(zhuǎn)換采用AVC技術(shù),而1.65V到5.5V的轉(zhuǎn)換采用LVC技術(shù),能進(jìn)行完全的配置.
當(dāng)從1.8V到3.3V轉(zhuǎn)換時(shí),AVC轉(zhuǎn)換器具有12mA的驅(qū)動(dòng)電流,3.5ns的快速傳輸時(shí)延.當(dāng)從3.3V到5V轉(zhuǎn)換時(shí),LVC轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度達(dá)32mA,傳輸時(shí)延為4ns.
制造商:STMicroelectronics產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:10 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:160 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:6.4 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:35 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101商標(biāo)名:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single系列:晶體管類型:1 P-Channel Power MOSFET商標(biāo):STMicroelectronics下降時(shí)間:3.7 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:5.3 ns2500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:14 ns典型接通延遲時(shí)間:64 ns單位重量:330 mg
CPC1130N和CPC1131N的導(dǎo)通電阻最大為30歐姆,而CPC1135N則為35歐姆.它的封裝為4引腳SOP,占為面積15.5平方毫米,高度僅為2mm,比同類產(chǎn)品要小20%.
這些產(chǎn)品所使用的耗盡型MOSFET使產(chǎn)品在常閉或1 Form B繼電器配置.
其結(jié)果是,沒(méi)有電源時(shí),繼電器依然是常閉的.這對(duì)于各種重要的通信線路,降功耗和故障保險(xiǎn)電話以及安全應(yīng)用是至關(guān)重要的.
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