浓毛老太交欧美老妇热爱乱,蜜臀性色av免费,妺妺窝人体色www看美女,久久久久久久久久久大尺度免费视频,麻豆人妻无码性色av专区

位置:51電子網(wǎng) » 技術(shù)資料 » 嵌入式系統(tǒng)

高密度器件能使存儲(chǔ)子系統(tǒng)的高水平功能滿足快速產(chǎn)品

發(fā)布時(shí)間:2021/10/5 20:04:41 訪問次數(shù):140

全新汽車高清鏈路(AHL)技術(shù)——新款RAA279971 AHL編碼芯片以及RAA279972解碼芯片,使汽車制造商能夠通過目前支持標(biāo)清視頻的低成本線纜和連接器傳輸高清視頻。

高清視頻在汽車安全系統(tǒng)的物體識(shí)別功能中愈加關(guān)鍵。作為高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)市場的佼佼者,瑞薩全新AHL可與其R-CarSoC、RH850 MCU、車載PMIC和模擬器件等其它產(chǎn)品搭配,在幾乎任何車輛中經(jīng)濟(jì)有效地實(shí)現(xiàn)眾多安全功能。

8Gb NAND閃存采用兩片4Gb芯片( K9K4G08U0M)堆棧在標(biāo)準(zhǔn)的48引腳TSOP封裝(12x20mm).

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續(xù)漏極電流: 34 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 29 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: OptiMOS 3 Power-Transistor

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S

下降時(shí)間: 4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 9 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns

典型接通延遲時(shí)間: 11 ns

零件號(hào)別名: SP000691172 IPB32N2N3GXT IPB320N20N3GATMA1

單位重量: 4 g

8Gb NAND閃存器件K9W8G08U1M.它的結(jié)構(gòu)為1Gbx8,工作電壓2.7-3.6V.

數(shù)據(jù)頁的數(shù)據(jù)讀取速度為50ns/字節(jié).片內(nèi)的寫控制器能自動(dòng)所有的編程和擦除功能,包括脈沖重復(fù),內(nèi)部確認(rèn)和數(shù)據(jù)富余度.

這種高密度器件能使存儲(chǔ)子系統(tǒng)的高水平功能滿足快速產(chǎn)品如數(shù)碼相機(jī),USB閃存驅(qū)動(dòng)器,PDA和MP3播放器對(duì)存儲(chǔ)器的快速增長的要求.

NAND閃存特別適合用在高密度更低成本的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案如移動(dòng)設(shè)備中.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

全新汽車高清鏈路(AHL)技術(shù)——新款RAA279971 AHL編碼芯片以及RAA279972解碼芯片,使汽車制造商能夠通過目前支持標(biāo)清視頻的低成本線纜和連接器傳輸高清視頻。

高清視頻在汽車安全系統(tǒng)的物體識(shí)別功能中愈加關(guān)鍵。作為高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)市場的佼佼者,瑞薩全新AHL可與其R-CarSoC、RH850 MCU、車載PMIC和模擬器件等其它產(chǎn)品搭配,在幾乎任何車輛中經(jīng)濟(jì)有效地實(shí)現(xiàn)眾多安全功能。

8Gb NAND閃存采用兩片4Gb芯片( K9K4G08U0M)堆棧在標(biāo)準(zhǔn)的48引腳TSOP封裝(12x20mm).

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續(xù)漏極電流: 34 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 29 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: OptiMOS 3 Power-Transistor

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S

下降時(shí)間: 4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 9 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns

典型接通延遲時(shí)間: 11 ns

零件號(hào)別名: SP000691172 IPB32N2N3GXT IPB320N20N3GATMA1

單位重量: 4 g

8Gb NAND閃存器件K9W8G08U1M.它的結(jié)構(gòu)為1Gbx8,工作電壓2.7-3.6V.

數(shù)據(jù)頁的數(shù)據(jù)讀取速度為50ns/字節(jié).片內(nèi)的寫控制器能自動(dòng)所有的編程和擦除功能,包括脈沖重復(fù),內(nèi)部確認(rèn)和數(shù)據(jù)富余度.

這種高密度器件能使存儲(chǔ)子系統(tǒng)的高水平功能滿足快速產(chǎn)品如數(shù)碼相機(jī),USB閃存驅(qū)動(dòng)器,PDA和MP3播放器對(duì)存儲(chǔ)器的快速增長的要求.

NAND閃存特別適合用在高密度更低成本的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案如移動(dòng)設(shè)備中.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

熱門點(diǎn)擊

 

推薦技術(shù)資料

DFRobot—玩的就是
    如果說新車間的特點(diǎn)是“靈動(dòng)”,F(xiàn)QPF12N60C那么... [詳細(xì)]
版權(quán)所有:51dzw.COM
深圳服務(wù)熱線:13751165337  13692101218
粵ICP備09112631號(hào)-6(miitbeian.gov.cn)
公網(wǎng)安備44030402000607
深圳市碧威特網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司
付款方式


 復(fù)制成功!