高密度器件能使存儲(chǔ)子系統(tǒng)的高水平功能滿足快速產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間:2021/10/5 20:04:41 訪問次數(shù):140
全新汽車高清鏈路(AHL)技術(shù)——新款RAA279971 AHL編碼芯片以及RAA279972解碼芯片,使汽車制造商能夠通過目前支持標(biāo)清視頻的低成本線纜和連接器傳輸高清視頻。
高清視頻在汽車安全系統(tǒng)的物體識(shí)別功能中愈加關(guān)鍵。作為高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)市場的佼佼者,瑞薩全新AHL可與其R-CarSoC、RH850 MCU、車載PMIC和模擬器件等其它產(chǎn)品搭配,在幾乎任何車輛中經(jīng)濟(jì)有效地實(shí)現(xiàn)眾多安全功能。
8Gb NAND閃存采用兩片4Gb芯片( K9K4G08U0M)堆棧在標(biāo)準(zhǔn)的48引腳TSOP封裝(12x20mm).
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 34 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 29 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 136 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: OptiMOS 3 Power-Transistor
寬度: 9.25 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S
下降時(shí)間: 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 9 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns
典型接通延遲時(shí)間: 11 ns
零件號(hào)別名: SP000691172 IPB32N2N3GXT IPB320N20N3GATMA1
單位重量: 4 g
數(shù)據(jù)頁的數(shù)據(jù)讀取速度為50ns/字節(jié).片內(nèi)的寫控制器能自動(dòng)所有的編程和擦除功能,包括脈沖重復(fù),內(nèi)部確認(rèn)和數(shù)據(jù)富余度.
這種高密度器件能使存儲(chǔ)子系統(tǒng)的高水平功能滿足快速產(chǎn)品如數(shù)碼相機(jī),USB閃存驅(qū)動(dòng)器,PDA和MP3播放器對(duì)存儲(chǔ)器的快速增長的要求.
NAND閃存特別適合用在高密度更低成本的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案如移動(dòng)設(shè)備中.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
全新汽車高清鏈路(AHL)技術(shù)——新款RAA279971 AHL編碼芯片以及RAA279972解碼芯片,使汽車制造商能夠通過目前支持標(biāo)清視頻的低成本線纜和連接器傳輸高清視頻。
高清視頻在汽車安全系統(tǒng)的物體識(shí)別功能中愈加關(guān)鍵。作為高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)市場的佼佼者,瑞薩全新AHL可與其R-CarSoC、RH850 MCU、車載PMIC和模擬器件等其它產(chǎn)品搭配,在幾乎任何車輛中經(jīng)濟(jì)有效地實(shí)現(xiàn)眾多安全功能。
8Gb NAND閃存采用兩片4Gb芯片( K9K4G08U0M)堆棧在標(biāo)準(zhǔn)的48引腳TSOP封裝(12x20mm).
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 34 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 29 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 136 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: OptiMOS 3 Power-Transistor
寬度: 9.25 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S
下降時(shí)間: 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 9 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns
典型接通延遲時(shí)間: 11 ns
零件號(hào)別名: SP000691172 IPB32N2N3GXT IPB320N20N3GATMA1
單位重量: 4 g
數(shù)據(jù)頁的數(shù)據(jù)讀取速度為50ns/字節(jié).片內(nèi)的寫控制器能自動(dòng)所有的編程和擦除功能,包括脈沖重復(fù),內(nèi)部確認(rèn)和數(shù)據(jù)富余度.
這種高密度器件能使存儲(chǔ)子系統(tǒng)的高水平功能滿足快速產(chǎn)品如數(shù)碼相機(jī),USB閃存驅(qū)動(dòng)器,PDA和MP3播放器對(duì)存儲(chǔ)器的快速增長的要求.
NAND閃存特別適合用在高密度更低成本的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案如移動(dòng)設(shè)備中.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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