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最高交換密度多用途交換芯片VSC3108.8端口VSC3108

發(fā)布時間:2021/10/5 21:16:09 訪問次數(shù):387

市場上數(shù)據(jù)發(fā)送最高交換密度的多用途交換芯片VSC3108.8端口的VSC3108在每平方毫米的板面積上提供0.8Gb的交換容量.

VSC3108是同一產(chǎn)品的四端口型號.兩種產(chǎn)品都是8mm方形封裝,數(shù)據(jù)速率高達6.5Gbps.

這些快速的小型有高性價比的交叉點是數(shù)字視頻,互聯(lián)網(wǎng)商業(yè)和數(shù)據(jù)存儲都可用的解決方案.

Vitesse的交叉接點為系統(tǒng)的改進提供了"焊接就通"的解決方案:能防止數(shù)據(jù)丟失,修正失真,降低元件尺寸和增加速度.其結(jié)果是更容易使用,有更好的信號完整性和功能.

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:4.3 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:50 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:5.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.38 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列:DMP3056 晶體管類型:1 P-Channel 商標:Diodes Incorporated 下降時間:18.2 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:4.7 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:35.2 ns 典型接通延遲時間:4.9 ns 單位重量:8 mg

新的用于3G無線平臺的功率管理標準產(chǎn)品AT73C203,它采用Atmel的低成本主流CMOS工藝,使AT73C203成為需要"智能"功率管理的微處理器的手提和手持產(chǎn)品整體解決方案如3G手機,PDA,掌上電腦,POS終端,3G調(diào)制解調(diào)器和其它產(chǎn)品.

該器件包括集成的雙電池充電器,用來給內(nèi)外電池充電,有可編的電流和電壓閾值,進行預(yù)充,快充和充電結(jié)束關(guān)斷.

雙電池工作是十分重要的,因為對于耗電量大的消費類電子產(chǎn)品,特別是PDA,它能加倍工作時間.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

市場上數(shù)據(jù)發(fā)送最高交換密度的多用途交換芯片VSC3108.8端口的VSC3108在每平方毫米的板面積上提供0.8Gb的交換容量.

VSC3108是同一產(chǎn)品的四端口型號.兩種產(chǎn)品都是8mm方形封裝,數(shù)據(jù)速率高達6.5Gbps.

這些快速的小型有高性價比的交叉點是數(shù)字視頻,互聯(lián)網(wǎng)商業(yè)和數(shù)據(jù)存儲都可用的解決方案.

Vitesse的交叉接點為系統(tǒng)的改進提供了"焊接就通"的解決方案:能防止數(shù)據(jù)丟失,修正失真,降低元件尺寸和增加速度.其結(jié)果是更容易使用,有更好的信號完整性和功能.

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:4.3 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:50 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:5.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.38 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列:DMP3056 晶體管類型:1 P-Channel 商標:Diodes Incorporated 下降時間:18.2 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:4.7 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:35.2 ns 典型接通延遲時間:4.9 ns 單位重量:8 mg

新的用于3G無線平臺的功率管理標準產(chǎn)品AT73C203,它采用Atmel的低成本主流CMOS工藝,使AT73C203成為需要"智能"功率管理的微處理器的手提和手持產(chǎn)品整體解決方案如3G手機,PDA,掌上電腦,POS終端,3G調(diào)制解調(diào)器和其它產(chǎn)品.

該器件包括集成的雙電池充電器,用來給內(nèi)外電池充電,有可編的電流和電壓閾值,進行預(yù)充,快充和充電結(jié)束關(guān)斷.

雙電池工作是十分重要的,因為對于耗電量大的消費類電子產(chǎn)品,特別是PDA,它能加倍工作時間.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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