RLD65PZB5大功率輸出半導(dǎo)體激光器應(yīng)用指南和SPICE模型
發(fā)布時(shí)間:2021/10/6 0:02:14 訪問次數(shù):416
對(duì)于更快速DVD刻錄機(jī),半導(dǎo)體激光器更高輸出的需求從2X提高到16X.由Rohm公司開發(fā)的RLD65PZB5大功率輸出半導(dǎo)體激光器能提供光輸出240mW,使16X DVD刻錄成為可能.
為了控制輸出電流隨輸出的升高而增加,Rohm采用原始元件設(shè)計(jì).這使具有大輸出功率和極好熱特性成為可能.
RLD65PZB5大功率輸出半導(dǎo)體激光器主要特性如下:
輸出功率(Po)240mW,
響應(yīng)時(shí)間2ns或更快,
低縱橫比(發(fā)散角),為1.7
金屬封裝 發(fā)光點(diǎn) mm)
這種大功率DVD激光器有兩種波長(zhǎng),650nm/780nm.
RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT*2的反饋單元（續(xù)流二極管）中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC SBD），成功大幅降低以往IGBT產(chǎn)品導(dǎo)通時(shí)的開關(guān)損耗（以下稱“開通損耗”*3）。
在車載充電器中采用本產(chǎn)品時(shí)，與以往IGBT產(chǎn)品相比，損耗可降低67％，與超級(jí)結(jié)MOSFET（SJ-MOSFET）相比，損耗可降低24％，有助于以更高的性價(jià)比進(jìn)一步降低車載和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用的功耗。
在ROHM官網(wǎng)上還免費(fèi)提供評(píng)估和導(dǎo)入本系列產(chǎn)品所需的豐富設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)，其中包括含有驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法的應(yīng)用指南和SPICE模型等，以支持快速引入市場(chǎng)。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
對(duì)于更快速DVD刻錄機(jī),半導(dǎo)體激光器更高輸出的需求從2X提高到16X.由Rohm公司開發(fā)的RLD65PZB5大功率輸出半導(dǎo)體激光器能提供光輸出240mW,使16X DVD刻錄成為可能.
為了控制輸出電流隨輸出的升高而增加,Rohm采用原始元件設(shè)計(jì).這使具有大輸出功率和極好熱特性成為可能.
RLD65PZB5大功率輸出半導(dǎo)體激光器主要特性如下:
輸出功率(Po)240mW,
響應(yīng)時(shí)間2ns或更快,
低縱橫比(發(fā)散角),為1.7
金屬封裝 發(fā)光點(diǎn) mm)
這種大功率DVD激光器有兩種波長(zhǎng),650nm/780nm.
RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT*2的反饋單元（續(xù)流二極管）中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC SBD），成功大幅降低以往IGBT產(chǎn)品導(dǎo)通時(shí)的開關(guān)損耗（以下稱“開通損耗”*3）。
在車載充電器中采用本產(chǎn)品時(shí)，與以往IGBT產(chǎn)品相比，損耗可降低67％，與超級(jí)結(jié)MOSFET（SJ-MOSFET）相比，損耗可降低24％，有助于以更高的性價(jià)比進(jìn)一步降低車載和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用的功耗。
在ROHM官網(wǎng)上還免費(fèi)提供評(píng)估和導(dǎo)入本系列產(chǎn)品所需的豐富設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)，其中包括含有驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法的應(yīng)用指南和SPICE模型等，以支持快速引入市場(chǎng)。
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