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4節(jié)適配反饋均衡裁決(DFE)接收均衡器技術(shù)取消第一次記入指針

發(fā)布時(shí)間:2021/10/7 0:17:25 訪問次數(shù):588

6.25Gbps CMOS串行連接器件TLK6B008,它能使用戶增加現(xiàn)有系統(tǒng)的端口密度而不用替換以前的背板.

TLK6B008有8個(gè)6.25Gbps雙向串行數(shù)據(jù)通道和16個(gè)3.125Gbps串行數(shù)據(jù)通道,數(shù)據(jù)吞吐量100Gbps.接收器采用4節(jié)適配反饋均衡裁決(DFE)接收均衡器技術(shù),包括取消第一次記入指針.

發(fā)送器采用能完全可編程系數(shù)的有5位分辨率的4節(jié)均衡器.這種完善的均衡補(bǔ)償了交互符號(hào)干擾(ISI)和串音,這是以前系統(tǒng)中所出現(xiàn)的主要問題.

TLK6B008能延長(zhǎng)現(xiàn)有的XAUI(10G以太網(wǎng))背板的壽命周期,使系統(tǒng)制造商可使用現(xiàn)有的技術(shù)投資.

制造商:ON Semiconductor產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:22.7 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:45 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:25 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:2.5 W通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:2.39 mm長(zhǎng)度:6.73 mm系列:晶體管類型:1 N-Channel寬度:6.22 mm商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild下降時(shí)間:40 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:85 ns2500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:35 ns典型接通延遲時(shí)間:10 ns單位重量:330 mg

它的主要性能包括有:

世界范圍內(nèi)適用,

低成本,

最適合用在以電池為能源的設(shè)備,

雙向/單向操作,

多點(diǎn)對(duì)單點(diǎn),

USB HID兼容,

支持共定位連接,

在噪音環(huán)境有強(qiáng)大的性能,

不存在兼容問題.

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

6.25Gbps CMOS串行連接器件TLK6B008,它能使用戶增加現(xiàn)有系統(tǒng)的端口密度而不用替換以前的背板.

TLK6B008有8個(gè)6.25Gbps雙向串行數(shù)據(jù)通道和16個(gè)3.125Gbps串行數(shù)據(jù)通道,數(shù)據(jù)吞吐量100Gbps.接收器采用4節(jié)適配反饋均衡裁決(DFE)接收均衡器技術(shù),包括取消第一次記入指針.

發(fā)送器采用能完全可編程系數(shù)的有5位分辨率的4節(jié)均衡器.這種完善的均衡補(bǔ)償了交互符號(hào)干擾(ISI)和串音,這是以前系統(tǒng)中所出現(xiàn)的主要問題.

TLK6B008能延長(zhǎng)現(xiàn)有的XAUI(10G以太網(wǎng))背板的壽命周期,使系統(tǒng)制造商可使用現(xiàn)有的技術(shù)投資.

制造商:ON Semiconductor產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:22.7 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:45 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:25 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:2.5 W通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:2.39 mm長(zhǎng)度:6.73 mm系列:晶體管類型:1 N-Channel寬度:6.22 mm商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild下降時(shí)間:40 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:85 ns2500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:35 ns典型接通延遲時(shí)間:10 ns單位重量:330 mg

它的主要性能包括有:

世界范圍內(nèi)適用,

低成本,

最適合用在以電池為能源的設(shè)備,

雙向/單向操作,

多點(diǎn)對(duì)單點(diǎn),

USB HID兼容,

支持共定位連接,

在噪音環(huán)境有強(qiáng)大的性能,

不存在兼容問題.

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

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