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功率優(yōu)化的硬件PHY及低延遲硬件和軟件MAC層組成

發(fā)布時(shí)間:2021/10/7 21:44:55 訪問次數(shù):358

單聲道無濾波器D類音頻功率放大器TPA2020D1,它的輸出功率2.5W,晶片芯片規(guī)模封裝(WCSP),尺寸僅為1.45x1.45mm,有引線球和無引線球兩種封裝選擇.

TPA2010D1很適合用在高效率而板面積很緊俏的終端設(shè)備如手機(jī),智能手機(jī)和PDA.

TPA2020D1的效率很高,能最大限度地延長電池壽命和最大限度地降低熱量,對8歐姆揚(yáng)聲器輸出400mW時(shí)的效率為88%,在100mW時(shí)為80%.

DSP能支持G.711, G.729A,或BroadVoice16的窄帶語音通信或G.722和BroadVoice32的寬帶語音通信.

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 160 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 137 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 167 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS-T2

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 33 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 22 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 29 ns

典型接通延遲時(shí)間: 28 ns

零件號別名: IPB16N4S4H1XT SP000711252 IPB160N04S4H1ATMA1

單位重量: 1.600 g

UWB最近獲得領(lǐng)先智能手機(jī)品牌采用,因而出現(xiàn)爆炸性增長,市場研究機(jī)構(gòu)ABI Research 預(yù)測到 2025 年的UWB設(shè)備年出貨量將接近 10 億。

RivieraWaves UWB 平臺 IP由一個(gè)功率優(yōu)化的硬件 PHY 以及一個(gè)靈活的低延遲硬件和軟件 MAC 層組成,旨在為尋求開發(fā) UWB設(shè)備的半導(dǎo)體和物聯(lián)網(wǎng)公司降低進(jìn)入門檻并加快產(chǎn)品上市速度。

MAC 層軟件可以與其他連接工作負(fù)載或模式(如測向、定位或雷達(dá))一起部署在 CEVA-BX1 DSP 上,或者作為獨(dú)立 UWB MAC 部署在商用 Arm 和 RISC-V MCU 上。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

單聲道無濾波器D類音頻功率放大器TPA2020D1,它的輸出功率2.5W,晶片芯片規(guī)模封裝(WCSP),尺寸僅為1.45x1.45mm,有引線球和無引線球兩種封裝選擇.

TPA2010D1很適合用在高效率而板面積很緊俏的終端設(shè)備如手機(jī),智能手機(jī)和PDA.

TPA2020D1的效率很高,能最大限度地延長電池壽命和最大限度地降低熱量,對8歐姆揚(yáng)聲器輸出400mW時(shí)的效率為88%,在100mW時(shí)為80%.

DSP能支持G.711, G.729A,或BroadVoice16的窄帶語音通信或G.722和BroadVoice32的寬帶語音通信.

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 160 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 137 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 167 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS-T2

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 33 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 22 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 29 ns

典型接通延遲時(shí)間: 28 ns

零件號別名: IPB16N4S4H1XT SP000711252 IPB160N04S4H1ATMA1

單位重量: 1.600 g

UWB最近獲得領(lǐng)先智能手機(jī)品牌采用,因而出現(xiàn)爆炸性增長,市場研究機(jī)構(gòu)ABI Research 預(yù)測到 2025 年的UWB設(shè)備年出貨量將接近 10 億。

RivieraWaves UWB 平臺 IP由一個(gè)功率優(yōu)化的硬件 PHY 以及一個(gè)靈活的低延遲硬件和軟件 MAC 層組成,旨在為尋求開發(fā) UWB設(shè)備的半導(dǎo)體和物聯(lián)網(wǎng)公司降低進(jìn)入門檻并加快產(chǎn)品上市速度。

MAC 層軟件可以與其他連接工作負(fù)載或模式(如測向、定位或雷達(dá))一起部署在 CEVA-BX1 DSP 上,或者作為獨(dú)立 UWB MAC 部署在商用 Arm 和 RISC-V MCU 上。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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