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高壓單列直插SIL/SIP舌簧繼電器從48到100引腳的封裝選項

發(fā)布時間:2021/10/8 18:38:23 訪問次數:534

100HV 系列耐高壓單列直插 SIL/SIP 舌簧繼電器,提供最高3kV的額定截止電壓,且線圈電阻是之前產品的兩倍以上。

此外,還可應要求提供電壓更高的干簧開關。另外,這個系列的繼電器還具有內部mu-metal磁性屏蔽功能,以避免由于緊密排布產生磁相互作用而導致的問題。

新款耐高壓單列直插SIL/SIP 舌簧繼電器在一個封裝內提供一個或兩個開關,且提供 1 Form A、2 Form A 和 1 Form B 三種配置選擇。

另外,還提供5V、12V 或 24V 三種線圈電壓選擇,且可以選配內部二極管。

制造商:ON Semiconductor 產品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT) RoHS: 詳細信息 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:40 V 集電極—基極電壓 VCBO:75 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V 集電極—射極飽和電壓:1 V 最大直流電集電極電流:0.6 A Pd-功率耗散:225 mW 增益帶寬產品fT:300 MHz 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:MMBT2222AL 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:0.94 mm 長度:2.9 mm 技術:Si 寬度:1.3 mm 商標:ON Semiconductor 集電極連續(xù)電流:0.6 A 產品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數量:3000 子類別:Transistors 單位重量:30 mg

RA6E1產品群的關鍵特性

200MHz Arm Cortex-M33 CPU內核

支持從512KB到1MB多個閃存選項;內置256KB RAM

支持溫度范圍:Ta = -40~85°C

提供從48到100引腳的封裝選項

高性能:3.95CoreMark/MHz(在閃存中執(zhí)行CoreMark算法時)

集成以太網MAC

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

100HV 系列耐高壓單列直插 SIL/SIP 舌簧繼電器,提供最高3kV的額定截止電壓,且線圈電阻是之前產品的兩倍以上。

此外,還可應要求提供電壓更高的干簧開關。另外,這個系列的繼電器還具有內部mu-metal磁性屏蔽功能,以避免由于緊密排布產生磁相互作用而導致的問題。

新款耐高壓單列直插SIL/SIP 舌簧繼電器在一個封裝內提供一個或兩個開關,且提供 1 Form A、2 Form A 和 1 Form B 三種配置選擇。

另外,還提供5V、12V 或 24V 三種線圈電壓選擇,且可以選配內部二極管。

制造商:ON Semiconductor 產品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT) RoHS: 詳細信息 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:40 V 集電極—基極電壓 VCBO:75 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V 集電極—射極飽和電壓:1 V 最大直流電集電極電流:0.6 A Pd-功率耗散:225 mW 增益帶寬產品fT:300 MHz 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:MMBT2222AL 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:0.94 mm 長度:2.9 mm 技術:Si 寬度:1.3 mm 商標:ON Semiconductor 集電極連續(xù)電流:0.6 A 產品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數量:3000 子類別:Transistors 單位重量:30 mg

RA6E1產品群的關鍵特性

200MHz Arm Cortex-M33 CPU內核

支持從512KB到1MB多個閃存選項;內置256KB RAM

支持溫度范圍:Ta = -40~85°C

提供從48到100引腳的封裝選項

高性能:3.95CoreMark/MHz(在閃存中執(zhí)行CoreMark算法時)

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(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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