27dBm線性輸出功率(P-1dB)和小型號增益20dB和成本效益
發(fā)布時間:2021/10/8 19:14:26 訪問次數(shù):1381
EPC2069 非常適合需要高功率密度的應(yīng)用，包括48 V-54 V輸入服務(wù)器。
與上一代40 V GaN FET相比，這款40 V器件的尺寸更小、寄生電感更小和成本更低，從而讓設(shè)計師實現(xiàn)更高的性能和成本效益。
EPC90139開發(fā)板的最大器件電壓為40 V 、最大輸出電流為40 A，配備板載柵極驅(qū)動器的半橋器件，采用了EPC2069 eGaN FET。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)。
電路板專為實現(xiàn)最佳開關(guān)性能而設(shè)計，包含所有關(guān)鍵組件，讓工程師易于評估EPC2069。
在25GHz,它能提供27dBm線性輸出功率(P-1dB)和小型號增益20dB以及50歐姆輸入和輸出匹配電路.
一個2,500顆的卷盤的EPC2069單價為2.73美元，EPC90139開發(fā)板的單價為123.75美元，均可從Digi-Key購買。
增強型氮化鎵（eGaN®）的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達（LiDAR）、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅(qū)動器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
EPC2069 非常適合需要高功率密度的應(yīng)用，包括48 V-54 V輸入服務(wù)器。
與上一代40 V GaN FET相比，這款40 V器件的尺寸更小、寄生電感更小和成本更低，從而讓設(shè)計師實現(xiàn)更高的性能和成本效益。
EPC90139開發(fā)板的最大器件電壓為40 V 、最大輸出電流為40 A，配備板載柵極驅(qū)動器的半橋器件，采用了EPC2069 eGaN FET。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)。
電路板專為實現(xiàn)最佳開關(guān)性能而設(shè)計，包含所有關(guān)鍵組件，讓工程師易于評估EPC2069。
在25GHz,它能提供27dBm線性輸出功率(P-1dB)和小型號增益20dB以及50歐姆輸入和輸出匹配電路.
一個2,500顆的卷盤的EPC2069單價為2.73美元，EPC90139開發(fā)板的單價為123.75美元，均可從Digi-Key購買。
增強型氮化鎵（eGaN®）的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達（LiDAR）、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅(qū)動器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。
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