浓毛老太交欧美老妇热爱乱,蜜臀性色av免费,妺妺窝人体色www看美女,久久久久久久久久久大尺度免费视频,麻豆人妻无码性色av专区

位置：51電子網(wǎng) » 技術(shù)資料 » 可編程技術(shù)

使用nPM1100評(píng)測(cè)套件簡(jiǎn)便地評(píng)測(cè)這款PMIC及其功能

發(fā)布時(shí)間:2021/10/8 22:38:01 訪問(wèn)次數(shù):183

擴(kuò)展的DMA,由所有的外設(shè)觸發(fā),提供專業(yè)的和可配置的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換,不再需要和中央處理單元(CPU)進(jìn)行交換,從而加速了基于微控制器單元(MCU)的信號(hào)處理.

DMA傳輸觸發(fā)源對(duì)CPU是完全透明,允許存儲(chǔ)器和內(nèi)部與外部硬件間進(jìn)行精密的傳輸控制.


意法半導(dǎo)體還負(fù)責(zé)設(shè)備激活和服務(wù)部署，安排客戶使用 ST 授權(quán)合作伙伴 Truphone 提供的設(shè)備注冊(cè)和服務(wù)配置平臺(tái)。通過(guò)使用意法半導(dǎo)體的ST4SIM 探索套件B-L462E-CELL1，用戶還可以評(píng)測(cè)在完整生態(tài)系統(tǒng)中預(yù)集成的全部產(chǎn)品功能。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-6 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:2.1 A, 3.9 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:58 mOhms, 195 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:600 mV Qg-柵極電荷:3.2 nC, 6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W, 1.4 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1.1 mm 長(zhǎng)度:3.05 mm 晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel 寬度:1.65 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:1 S, 12 S 下降時(shí)間:9 ns, 28 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:16 ns, 37 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13 ns, 25 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns, 16 ns 零件號(hào)別名:SI3585CDV-GE3 單位重量:20 mg

nPM1100的其他主要特性：

低靜態(tài)電流，典型值為 700 nA，付運(yùn)模式下為 470 nA (停用電流輸出)

150 mA 電流限制

電池過(guò)熱保護(hù)功能

可選終止電壓(4.1 V 或 4.2 V)


使用合適評(píng)測(cè)套件輕松啟動(dòng)設(shè)計(jì)

用戶可以使用nPM1100評(píng)測(cè)套件簡(jiǎn)便地評(píng)測(cè)這款PMIC及其功能，開(kāi)發(fā)人員無(wú)需自備測(cè)試硬件。

(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）



擴(kuò)展的DMA,由所有的外設(shè)觸發(fā),提供專業(yè)的和可配置的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換,不再需要和中央處理單元(CPU)進(jìn)行交換,從而加速了基于微控制器單元(MCU)的信號(hào)處理.

DMA傳輸觸發(fā)源對(duì)CPU是完全透明,允許存儲(chǔ)器和內(nèi)部與外部硬件間進(jìn)行精密的傳輸控制.


意法半導(dǎo)體還負(fù)責(zé)設(shè)備激活和服務(wù)部署，安排客戶使用 ST 授權(quán)合作伙伴 Truphone 提供的設(shè)備注冊(cè)和服務(wù)配置平臺(tái)。通過(guò)使用意法半導(dǎo)體的ST4SIM 探索套件B-L462E-CELL1，用戶還可以評(píng)測(cè)在完整生態(tài)系統(tǒng)中預(yù)集成的全部產(chǎn)品功能。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-6 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:2.1 A, 3.9 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:58 mOhms, 195 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:600 mV Qg-柵極電荷:3.2 nC, 6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W, 1.4 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1.1 mm 長(zhǎng)度:3.05 mm 晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel 寬度:1.65 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:1 S, 12 S 下降時(shí)間:9 ns, 28 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:16 ns, 37 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13 ns, 25 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns, 16 ns 零件號(hào)別名:SI3585CDV-GE3 單位重量:20 mg

nPM1100的其他主要特性：

低靜態(tài)電流，典型值為 700 nA，付運(yùn)模式下為 470 nA (停用電流輸出)

150 mA 電流限制

電池過(guò)熱保護(hù)功能

可選終止電壓(4.1 V 或 4.2 V)


使用合適評(píng)測(cè)套件輕松啟動(dòng)設(shè)計(jì)

用戶可以使用nPM1100評(píng)測(cè)套件簡(jiǎn)便地評(píng)測(cè)這款PMIC及其功能，開(kāi)發(fā)人員無(wú)需自備測(cè)試硬件。

(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）



熱門(mén)點(diǎn)擊

 

推薦技術(shù)資料

電動(dòng)吸錫烙鐵
    用12V/2A的電源為電磁閥和泵供電，F(xiàn)QPF9N50... [詳細(xì)]
版權(quán)所有:51dzw.COM
深圳服務(wù)熱線：13692101218  13751165337
粵ICP備09112631號(hào)-6(miitbeian.gov.cn)
公網(wǎng)安備44030402000607
深圳市碧威特網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司
付款方式


 復(fù)制成功！