VSC9118/VSC9115還具有通用成幀程序(GFP)，SDH鏈路接入程序(LAPS)和SONET上數(shù)據(jù)包(PoS)的功能，能把以太網(wǎng)和SAN數(shù)據(jù)通信量變換到OC-48/OC-192 SONET/SDH網(wǎng)絡(luò)。

器件支持高達(dá)64個(gè)邏輯通道(STS-1/VC-3 到STS-192c/VC4-64c)，提供兩級指示器發(fā)生和中斷，用于VC到AU-4的SDH變換。

該器件的線路邊和系統(tǒng)邊分別有OIF SFI-4和OIF SPI-4.2接口，以便和光收發(fā)器或物理層元件無縫地連接。它還支持系統(tǒng)包接口如網(wǎng)絡(luò)處理器(NP)和媒體接入控制器(MAC)。

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 24 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 25 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 98 ns

典型接通延遲時(shí)間: 18 ns

零件號別名: SP000219003 IPB100N06S2L05ATMA1

單位重量: 4 g

一種新的封裝TESQ，比標(biāo)準(zhǔn)的4引腳SOT-343表面安裝封裝還小34%，使用在手機(jī)，無線PDA和無線局域網(wǎng)(WLAN)的低噪音放大器(LNA)和壓控振蕩器有更高的增益。

東芝的低噪音MT4S100T和高增益MT4S101T晶體管的TESQ封裝，尺寸只有1.2mm x 1.2mmx0.52mm。MT4S101T很理想地用在WLAN中5.2GHz LNA。

鍺硅技術(shù)由于結(jié)合了硅和鍺的電特性，因而有很低的噪音和高增益。這類鍺硅器件有低功耗的特性，很適合用在移動(dòng)和無線電話以及PDA。

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