新的UnitedSiC SiC FET憑借在開關效率和導通電阻方面的改進
發(fā)布時間:2023/1/29 1:03:37 訪問次數(shù):55
通用多區(qū)測距FlightSense™ 飛行時間傳感器，為各種消費電子和工業(yè)產(chǎn)品帶來精密的測距解決方案。
VL53L5CX傳感器可為多目標檢測應用提供多達64個測距區(qū)，每區(qū)最長測量距離達 4 米，還提供對角線視場角63°的寬廣矩形視場。
新傳感器采用意法半導體經(jīng)過市場檢驗的直方圖處理技術，大幅降低蓋板串擾的影響，可以輕松集成并隱藏在各種面板后面。
新的運動指示創(chuàng)新功能還可讓傳感器檢測目標是否移動過。
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HSOF-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續(xù)漏極電流: 169 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
Qg-柵極電荷: 87 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 167 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 75 S
下降時間: 13 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 42 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
零件號別名: IPT029N08N5 SP001581494
單位重量: 771.020 mg
成熟的應用也可以從使用這種器件中受益——可以憑借其與Si MOSFET和IGBT柵極驅動器以及成熟的TO-247封裝的向后兼容性來輕松提高效率。
UnitedSiC第4代SiC FET無疑是競爭技術中的性能領導者，并為寬禁帶開關技術樹立了新的標桿。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
通用多區(qū)測距FlightSense™ 飛行時間傳感器，為各種消費電子和工業(yè)產(chǎn)品帶來精密的測距解決方案。
VL53L5CX傳感器可為多目標檢測應用提供多達64個測距區(qū)，每區(qū)最長測量距離達 4 米，還提供對角線視場角63°的寬廣矩形視場。
新傳感器采用意法半導體經(jīng)過市場檢驗的直方圖處理技術，大幅降低蓋板串擾的影響，可以輕松集成并隱藏在各種面板后面。
新的運動指示創(chuàng)新功能還可讓傳感器檢測目標是否移動過。
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HSOF-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續(xù)漏極電流: 169 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
Qg-柵極電荷: 87 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 167 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 75 S
下降時間: 13 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 42 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
零件號別名: IPT029N08N5 SP001581494
單位重量: 771.020 mg
成熟的應用也可以從使用這種器件中受益——可以憑借其與Si MOSFET和IGBT柵極驅動器以及成熟的TO-247封裝的向后兼容性來輕松提高效率。
UnitedSiC第4代SiC FET無疑是競爭技術中的性能領導者，并為寬禁帶開關技術樹立了新的標桿。
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