UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其內(nèi)部集成了一個(gè)SiC JFET并將之與一個(gè)硅MOSFET封裝在一起。

這兩者結(jié)合起來就提供了寬禁帶技術(shù)的全部?jī)?yōu)勢(shì)——可實(shí)現(xiàn)高速和低損耗以及高溫工作，同時(shí)還可保持簡(jiǎn)單、穩(wěn)定和魯棒的柵極驅(qū)動(dòng)，并具有集成的ESD保護(hù)。

這些優(yōu)勢(shì)可通過品質(zhì)因數(shù)(FoM)進(jìn)行量化，例如RDS(on)×A，這個(gè)指標(biāo)衡量了每單位芯片面積的傳導(dǎo)損耗。在這一指標(biāo)上，第4代SiC FET在高低裸片溫度下均可達(dá)到市場(chǎng)最低值。

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: HSOF-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續(xù)漏極電流: 155 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 69 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 375 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 2.4 mm

長(zhǎng)度: 10.58 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 10.1 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 86 S

下降時(shí)間: 14 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 35 ns

工廠包裝數(shù)量: 2000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 46 ns

典型接通延遲時(shí)間: 25 ns

零件號(hào)別名: IPT059N15N3 SP001100162

單位重量: 771.020 mg

新型光網(wǎng)絡(luò)元件XFP系列和XPAK/X2以及XENPAK元件。

XFP元件包括有Intel® LXT16713 10Gbps 1:1時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)(CDR)器件。Intel公司是首家提供高性能用在光收發(fā)器和光線路卡的1：1CDR芯片。

CDR幫助收發(fā)器在網(wǎng)絡(luò)上準(zhǔn)確地取樣光信號(hào)。

該器件是協(xié)議診斷，工作在9.95-11.1Gbps，包括有集成的高靈敏度限幅放大器，用來放大電信號(hào)。Luminent 公司正在用XFP MSA開發(fā)光收發(fā)器。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）