高低邊輸出信號(hào)傳播延遲相同能夠驅(qū)動(dòng)GaN增強(qiáng)型FET高頻開關(guān)

發(fā)布時(shí)間:2021/10/12 13:02:24 訪問(wèn)次數(shù):419

Microchip將繼續(xù)設(shè)計(jì)和開發(fā)專用解決方案，幫助設(shè)計(jì)人員解決開發(fā)溫度敏感應(yīng)用時(shí)所遇到的問(wèn)題。

兩款新傳感器在某特定溫度轉(zhuǎn)換范圍內(nèi)的工作電流 (典型電流為250 uA) 可達(dá)業(yè)界最低水平。其超低功率關(guān)斷模式(典型電流為1微安) 有助于設(shè)計(jì)人員延長(zhǎng)便攜式電子產(chǎn)品的電池壽命。

TC72可讀出零下55 度到零上125度的溫度，工作電壓范圍從2.65到5.5伏。

至于TC77則提供最高分辨率(每比特0.0625度) 有助于系統(tǒng)快速檢測(cè)關(guān)鍵熱量狀況，從而進(jìn)行精確的溫度測(cè)量。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 214 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

系列: OptiMOS-T

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 17 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 16 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 46 ns

典型接通延遲時(shí)間: 30 ns

零件號(hào)別名: IPB1N4S33XT SP000260847 IPB100N04S303ATMA1

單位重量: 4 g

STDRIVEG600半橋柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電流大，高低邊輸出信號(hào)傳播延遲相同，都是45ns，能夠驅(qū)動(dòng) GaN 增強(qiáng)型 FET 高頻開關(guān)。

STDRIVEG600 的驅(qū)動(dòng)電源電壓高達(dá) 20V，還適用于驅(qū)動(dòng) N 溝道硅基 MOSFET管，在驅(qū)動(dòng) GaN 器件時(shí)，可以靈活地施加 6V 柵極-源極電壓 (VGS)，確保導(dǎo)通電阻 Rds(on)保持在較低水平。

自舉電路使用同步整流 MOSFET開關(guān)管，使自舉電壓達(dá)到VCC邏輯電源電壓值，從而讓驅(qū)動(dòng)器只使用一個(gè)電源，而無(wú)需低壓降穩(wěn)壓器 (LDO)。

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