接觸器使用KM控制模塊有效解決常見(jiàn)接觸器抗晃電能力差

發(fā)布時(shí)間:2023/1/29 10:32:21 訪問(wèn)次數(shù):71

1Gbps DDR-I SDRAM存儲(chǔ)器給它的主要客戶，支持下一代圖像處理芯片組。

這種高速DDR-I SDRAM 產(chǎn)品，是業(yè)界第一個(gè)速度為500MHz（1Gbps）,32位寬I/O口和144針FBGA封裝的產(chǎn)品。它支持臺(tái)式計(jì)算機(jī)，工作站圖像，交換和路由器的高速度應(yīng)用。

這種新產(chǎn)品是DDR-I產(chǎn)品線中速度最高的，和DDR-I板兼容。Hynix公司預(yù)測(cè)，速度，兼容性和估計(jì)成本都比DDR-II好10%，很快會(huì)被圖像和網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)業(yè)所接受。

在盡可能低的價(jià)格提供最高的性能，是區(qū)分終端產(chǎn)品的關(guān)鍵�500MHz的DDR-I能做到這一點(diǎn)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 75 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 180 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 30 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 50 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 61 ns

典型接通延遲時(shí)間: 26 ns

零件號(hào)別名: IPB8N8S27XT SP000219048 IPB80N08S207ATMA1

單位重量: 4 g

MC9S12B128的標(biāo)準(zhǔn)片上外設(shè)接口有16位CPU(CPU12)，128KB閃存EEPROM，4KB RAM，1KB EEPROM，兩個(gè)異步串行通信接口(SCI)，串行外設(shè)接口(SPI)，輸入捕獲/輸出比較計(jì)時(shí)器(TIM)，16通道10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)，8通道脈寬調(diào)制器(PWM)和一個(gè)CAN 2.0 A,B軟件兼容的模塊(MSCAN12)。

系統(tǒng)資源變換，時(shí)鐘產(chǎn)生，中斷控制和總線接口有輕型集成�？�(LIM)來(lái)管理。

接觸器使用的KM系列控制模塊，有效解決了常見(jiàn)的接觸器抗晃電能力差，型號(hào)管理成本高，能量損耗大等問(wèn)題。

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