高壓雙極晶體管的達林頓晶體管和低壓MOSFET的開關(guān)頻率
發(fā)布時間:2021/10/15 12:32:54 訪問次數(shù):144
新產(chǎn)品集成兩個 650V 功率晶體管與優(yōu)化的高壓柵極驅(qū)動器和相關(guān)的安全保護電路，消除了柵極驅(qū)動器和電路布局設(shè)計挑戰(zhàn)。
因為 GaN 晶體管可以實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，新的集成功率系統(tǒng)封裝可使電源尺寸比基于硅的設(shè)計縮小 80%，并且具有很高的穩(wěn)健性和可靠性。
在 MasterGaN5 中，兩個晶體管的導(dǎo)通電阻值 (Rds(on))都是450mΩ，適用于 LLC 諧振和有源鉗位反激變換器等拓撲。
設(shè)計可編程性也給用戶靈活地適應(yīng)特殊應(yīng)用的要求,世界范圍的標準和獨特的增值要求。
此外，它還具有可編程的故障清除時間和一個使能輸入。通過使用精確匹配的評測和控制器板，用戶能夠顯著優(yōu)化處理和開發(fā)時間。
采用ST公司專有的M3-3 VIPower®技術(shù)，VK05CFL集成了發(fā)射極開關(guān)功率級，有一個高壓雙極晶體管的達林頓晶體管和低壓MOSFET。這種組合具有雙極晶體管的低壓降和"關(guān)態(tài)"時高擊穿電壓以及MOSFET的高開關(guān)速度，理論上能達到最大的300KHz范圍。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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因為 GaN 晶體管可以實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，新的集成功率系統(tǒng)封裝可使電源尺寸比基于硅的設(shè)計縮小 80%，并且具有很高的穩(wěn)健性和可靠性。
在 MasterGaN5 中，兩個晶體管的導(dǎo)通電阻值 (Rds(on))都是450mΩ，適用于 LLC 諧振和有源鉗位反激變換器等拓撲。
設(shè)計可編程性也給用戶靈活地適應(yīng)特殊應(yīng)用的要求,世界范圍的標準和獨特的增值要求。
此外，它還具有可編程的故障清除時間和一個使能輸入。通過使用精確匹配的評測和控制器板，用戶能夠顯著優(yōu)化處理和開發(fā)時間。
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