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ARM7處理器核和無線電芯片

發(fā)布時間:2023/1/29 21:12:08 訪問次數(shù):152

2kVDC的片狀陶瓷電容GR4系列,能用在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備上。它的"耐高電壓"特性滿足LAN的技術(shù)指標IEEE 802.3的要求。

它的尺寸有兩種:4.5x2.0x2.0mm 和4.5x3.2x2.0mm,電容范圍從100pF到2200pF。

GR4系列電容采用鎳為內(nèi)電極基本材料,用銅為外電極基本材料,因此降低了成本。由于X7R特性,這些電容的穩(wěn)定性很好,在-55度 到125度范圍內(nèi)電容值的變化比為±15%。

由于是可表面安裝,需要較小的安裝面積。這使更多的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備變得更薄。


制造商:STMicroelectronics產(chǎn)品種類:電源開關(guān) IC - 配電RoHS: 詳細信息類型:High Side輸出端數(shù)量:1 Output輸出電流:5 A電流限制:96 A導(dǎo)通電阻—最大值:17 mOhms運行時間—最大值:120 us空閑時間—最大值:100 us工作電源電壓:4 V to 28 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 150 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:PowerSSO-16系列:VN7008AJ資格:AEC-Q100封裝:Reel封裝:Cut Tape商標:STMicroelectronics濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:Power Switch ICs - Power Distribution工廠包裝數(shù)量:2500子類別:Switch ICs電源電壓-最大:28 V電源電壓-最小:4 V單位重量:123 mg

National半導(dǎo)體公司的專家和Mixrosoft工程師緊密合作了兩年多,開發(fā)完整的解決方案,以滿足允許把無線信息傳輸?shù)街悄苄蛡人實體的嚴格條件。

SPOT器件的主要要求是體積小。低功耗,內(nèi)置安全和大量的生產(chǎn)能力。完整的National解決方案包括由七個芯片組成的系統(tǒng)板,尺寸為34x30x2mm。

ARM7處理器核和無線電芯片由Nnational最先進的0.18微米CMOS工藝制造。它有單獨的256位識別寄存器,用激光刻蝕在每一個芯片上。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

上海德懿電子科技有限公司  www.deyie.com


2kVDC的片狀陶瓷電容GR4系列,能用在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備上。它的"耐高電壓"特性滿足LAN的技術(shù)指標IEEE 802.3的要求。

它的尺寸有兩種:4.5x2.0x2.0mm 和4.5x3.2x2.0mm,電容范圍從100pF到2200pF。

GR4系列電容采用鎳為內(nèi)電極基本材料,用銅為外電極基本材料,因此降低了成本。由于X7R特性,這些電容的穩(wěn)定性很好,在-55度 到125度范圍內(nèi)電容值的變化比為±15%。

由于是可表面安裝,需要較小的安裝面積。這使更多的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備變得更薄。


制造商:STMicroelectronics產(chǎn)品種類:電源開關(guān) IC - 配電RoHS: 詳細信息類型:High Side輸出端數(shù)量:1 Output輸出電流:5 A電流限制:96 A導(dǎo)通電阻—最大值:17 mOhms運行時間—最大值:120 us空閑時間—最大值:100 us工作電源電壓:4 V to 28 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 150 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:PowerSSO-16系列:VN7008AJ資格:AEC-Q100封裝:Reel封裝:Cut Tape商標:STMicroelectronics濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:Power Switch ICs - Power Distribution工廠包裝數(shù)量:2500子類別:Switch ICs電源電壓-最大:28 V電源電壓-最小:4 V單位重量:123 mg

National半導(dǎo)體公司的專家和Mixrosoft工程師緊密合作了兩年多,開發(fā)完整的解決方案,以滿足允許把無線信息傳輸?shù)街悄苄蛡人實體的嚴格條件。

SPOT器件的主要要求是體積小。低功耗,內(nèi)置安全和大量的生產(chǎn)能力。完整的National解決方案包括由七個芯片組成的系統(tǒng)板,尺寸為34x30x2mm。

ARM7處理器核和無線電芯片由Nnational最先進的0.18微米CMOS工藝制造。它有單獨的256位識別寄存器,用激光刻蝕在每一個芯片上。

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